[实用新型]提高碳化硅外延生产洁净度的装置有效

专利信息
申请号: 202320145938.7 申请日: 2023-01-16
公开(公告)号: CN218842402U 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 沈棽;江宏富;张春伟;林波 申请(专利权)人: 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
主分类号: C30B23/02 分类号: C30B23/02;C30B25/14;C30B25/16;C30B29/36;B01D46/00;B01D46/44
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张娜
地址: 221004 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种提高碳化硅外延生产洁净度的装置,该装置包括:洁净送风单元,洁净送风单元包括颗粒过滤器,洁净送风单元设置在装置的顶部,洁净送风单元用于净化进入装置的空气;回风过滤单元,回风过滤单元设置在装置的侧面底部,回风过滤单元用于过滤从装置内输出的空气中的颗粒;感应单元,感应单元可开合地设置在装置的其中一个侧面,感应单元包括感应器,感应器用于感应操作人员是否进入装置。由此,避免了经洁净送风单元通入的空气中的粉尘颗粒和人员衣物携带颗粒进入装置内,降低了对装置外的洁净室的空气扰动,保障了装置外的洁净室的洁净度,极大地提高了操作便利性且降低了生产成本。
搜索关键词: 提高 碳化硅 外延 生产 洁净 装置
【主权项】:
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