[实用新型]提高碳化硅外延生产洁净度的装置有效

专利信息
申请号: 202320145938.7 申请日: 2023-01-16
公开(公告)号: CN218842402U 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 沈棽;江宏富;张春伟;林波 申请(专利权)人: 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
主分类号: C30B23/02 分类号: C30B23/02;C30B25/14;C30B25/16;C30B29/36;B01D46/00;B01D46/44
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张娜
地址: 221004 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 提高 碳化硅 外延 生产 洁净 装置
【说明书】:

实用新型公开了一种提高碳化硅外延生产洁净度的装置,该装置包括:洁净送风单元,洁净送风单元包括颗粒过滤器,洁净送风单元设置在装置的顶部,洁净送风单元用于净化进入装置的空气;回风过滤单元,回风过滤单元设置在装置的侧面底部,回风过滤单元用于过滤从装置内输出的空气中的颗粒;感应单元,感应单元可开合地设置在装置的其中一个侧面,感应单元包括感应器,感应器用于感应操作人员是否进入装置。由此,避免了经洁净送风单元通入的空气中的粉尘颗粒和人员衣物携带颗粒进入装置内,降低了对装置外的洁净室的空气扰动,保障了装置外的洁净室的洁净度,极大地提高了操作便利性且降低了生产成本。

技术领域

本实用新型属于碳化硅外延生产技术领域,具体涉及一种提高碳化硅外延生产洁净度的装置。

背景技术

在碳化硅外延的生产过程中,需要对生产区域的颗粒数量进行控制,避免生产室的粉尘颗粒和人员衣物携带颗粒对碳化硅衬底片造成污染,导致碳化硅产生表面缺陷(如三角形缺陷和downfall),进而导致碳化硅外延片质量变差。如果将质量较差的碳化硅外延片带入后续的反应腔室,也会导致后续产品产生表面缺陷,降低后续产品的产出良率。

现有技术主要通过提高生产区域洁净度的方式对生产区域的颗粒数量实现控制,但因高等级洁净室造价昂贵,且过程设备PM也会对洁净区造成污染。因此,无法对全生产区域高等级洁净室建设。

因此,提出一种除尘效果好、操作便利且价格低廉的除尘装置是非常有必要的。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本实用新型的一个目的在于提出一种提高碳化硅外延生产洁净度的装置。由此,避免了经洁净送风单元通入的空气中的粉尘颗粒和人员衣物携带颗粒进入装置内,降低了对装置外的洁净室的空气扰动,保障了装置外的洁净室的洁净度,极大地提高了操作便利性且降低了生产成本。

本实用新型提出了一种提高碳化硅外延生产洁净度的装置。在本实用新型的实施例中,所述装置包括:

洁净送风单元,所述洁净送风单元包括颗粒过滤器,所述洁净送风单元设置在所述装置的顶部,所述洁净送风单元用于净化进入所述装置的空气;

回风过滤单元,所述回风过滤单元设置在所述装置的侧面底部,所述回风过滤单元用于过滤从所述装置内输出的空气中的颗粒;

感应单元,所述感应单元可开合地设置在所述装置的其中一个侧面,所述感应单元包括感应器,所述感应器用于感应操作人员是否进入所述装置。

根据本实用新型实施例的提高碳化硅外延生产洁净度的装置,通过在装置顶部设置洁净送风单元,采用颗粒过滤器可以净化进入装置内的空气,进而减少进入装置内的空气携带的颗粒数量;通过在装置的侧面底部设置回风过滤单元,可以减少装置内的气体紊流和装置外的颗粒扬尘,进而降低了装置外的洁净室的空气扰动,保障了装置外的洁净室的洁净度;通过在装置的其中一个侧面可开合地设置感应单元,通过感应器感应操作人员是否要进入装置内,如果感应器感应到操作人员即将要进入装置内,则控制感应单元的打开程度,经洁净送风单元进入的洁净空气通过感应单元的开口对操作人员进行吹扫。由此,避免了经洁净送风单元通入的空气中的粉尘颗粒和人员衣物携带颗粒进入装置内,降低了对装置外的洁净室的空气扰动,保障了装置外的洁净室的洁净度,极大地提高了操作便利性且降低了生产成本。

另外,根据本实用新型上述实施例的提高碳化硅外延生产洁净度的装置还可以具有如下附加的技术特征:

在本实用新型的一些实施例中,还包括:

控制单元,所述控制单元分别与所述洁净送风单元和所述感应单元相连。

在本实用新型的一些实施例中,所述装置包括相对设置的第一侧面和第二侧面、相对设置的第三侧面和第四侧面,所述感应单元设置在所述第三侧面上,所述回风过滤单元分别设置在所述第一侧面和所述第二侧面的底部。

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