[发明专利]屏蔽栅MOSFET结构、屏蔽栅功率器件及制备方法在审
| 申请号： | 202310928121.1 | 申请日： | 2023-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN116666437A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 王丹丹;徐承福;安秋爽;韩玉亮 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种屏蔽栅MOSFET结构、屏蔽栅功率器件及制备方法，屏蔽栅MOSFET结构包括形成于衬底中的源极掺杂区和元胞沟槽，所述源极掺杂区位于所述元胞沟槽的外侧，所述元胞沟槽中形成有间隔且绝缘设置的多晶硅栅极和多晶硅源极，所述多晶硅栅极环设在所述多晶硅源极外侧，且所述多晶硅栅极与源极掺杂区间隔且绝缘设置，以增强屏蔽栅功率器件的耗尽能力，从而降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 mosfet 结构 功率 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，未经绍兴中芯集成电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310928121.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
