[发明专利]激光照射装置以及半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 202310648499.6 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN116666203A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 伊藤大介;小田嶋保;清水良;町田政志;松岛达郎 | 申请（专利权）人： | JSW阿克迪纳系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/324;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 顾丹丽 |
| 地址： | 日本国神奈川县横滨市金沢区*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开激光照射装置以及半导体器件制造方法，所述激光照射装置包括一光学系统模块，用于向一照射对象发射激光；第一遮光板，所述第一遮光板内形成有供所述激光通过的第一狭缝，所述第一遮光板朝所述光学系统模块弯曲；以及一反射光接收部件，设于所述光学系统模块与所述第一遮光板之间，其中，所述反射光接收部件能够接收所述激光中被所述第一遮光板反射的第一反射光。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 照射 装置 以及 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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