[发明专利]激光照射装置以及半导体器件制造方法在审
申请号: | 202310648499.6 | 申请日: | 2017-07-14 |
公开(公告)号: | CN116666203A | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 伊藤大介;小田嶋保;清水良;町田政志;松岛达郎 | 申请(专利权)人: | JSW阿克迪纳系统有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/324;H01L21/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 顾丹丽 |
地址: | 日本国神奈川县横滨市金沢区*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 照射 装置 以及 半导体器件 制造 方法 | ||
本发明公开激光照射装置以及半导体器件制造方法,所述激光照射装置包括一光学系统模块,用于向一照射对象发射激光;第一遮光板,所述第一遮光板内形成有供所述激光通过的第一狭缝,所述第一遮光板朝所述光学系统模块弯曲;以及一反射光接收部件,设于所述光学系统模块与所述第一遮光板之间,其中,所述反射光接收部件能够接收所述激光中被所述第一遮光板反射的第一反射光。
本申请是申请号为201780062257.1,申请日为2017年7月14日,发明名称为“激光照射装置以及半导体器件制造方法”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种激光照射装置以及半导体器件制造方法。举例而言,本发明涉及一种通过以激光照射形成于基片上的非晶膜而进行激光退火处理的激光照射装置,并涉及一种半导体器件制造方法。
背景技术
一种已知的激光退火装置通过以激光照射形成于硅片或玻璃基片的非晶膜而使该非晶膜结晶化。专利文献1和专利文献2均公开一种激光退火装置,该装置通过使激光通过狭缝而阻挡与激光光轴垂直的激光截面上强度较低的边缘部分激光,并将所获得的具有均匀强度的激光用作照射光。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第5717146号
专利文献2:日本专利第5907530号
发明内容
本发明解决的技术问题
在专利文献1和专利文献2公开的激光退火装置中,与激光光轴垂直的激光截面上的边缘部分激光无法通过狭缝,并被形成所述狭缝的遮光部分阻挡。可以想到的是,被遮光部分阻挡的激光会被该遮光部分反射。
可以想到的是,被遮光部分反射的反射光会抵达激光退火装置的光学系统模块,从而对该光学系统模块造成使该光学系统模块温度升高等负面作用。在该情况下,所述光学系统模块的外壳将因热应力而变形,从而导致该光学系统模块内设置的各光学元件发生位置偏差。可以想到的是,如此,用于使非晶膜结晶化的激光将发生不均匀照射,从而可能无法实施稳定的结晶化处理。
此外,经通过狭缝的激光被非晶膜或基片反射后的反射光以相反方向通过狭缝,并同样抵达光学系统模块。可以想到的是,如此,可导致与上述遮光部分反射的反射光类似的不均匀照射。
根据本说明书的描述以及附图,其他待解决的问题以及新颖特征将变得容易理解。
解决问题的技术手段
一种实施方式的激光照射装置包括:用于向照射对象发射激光的光学系统模块;第一遮光板,该第一遮光板内形成供激光通过的第一狭缝,所述第一遮光板朝所述光学系统模块弯曲;以及设于所述光学系统模块和第一遮光板之间的反射光接收部件,其中,该反射光接收部件能够从所述激光中接收所述第一遮光板发射的第一反射光。
一种实施方式的半导体器件制造方法包括如下步骤:(A)光学系统模块向基片发射激光,该基片上形成有含半导体的膜;(B)提供第一遮光板,该第一遮光板内形成供所述激光通过的第一狭缝,并使得发射于所述第一狭缝和第一遮光板上的所述激光当中发射至该第一狭缝上的激光部分通过该第一狭缝,其中,所述第一遮光板朝所述光学系统模块弯曲;(C)由所述第一遮光板阻挡发射于所述第一狭缝和第一遮光板上的所述激光当中发射至该第一遮光板上的激光部分;(D)在所述光学系统模块和第一遮光板之间设置反射光接收部件,并使得该反射光接收部件接收第一反射光,该第一反射光为所述激光发射至所述第一遮光板并被该第一遮光板反射后形成的光;以及(E)以发射至所述第一狭缝和第一遮光板上的激光当中已经通过该第一狭缝的激光照射所述基片。
本发明的有益效果
根据上述实施方式,可提供一种能够防止不均匀照射并实施稳定结晶化处理的激光照射装置和半导体器件制造方法。
附图说明
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