[发明专利]激光照射装置以及半导体器件制造方法在审
申请号: | 202310648499.6 | 申请日: | 2017-07-14 |
公开(公告)号: | CN116666203A | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 伊藤大介;小田嶋保;清水良;町田政志;松岛达郎 | 申请(专利权)人: | JSW阿克迪纳系统有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/324;H01L21/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 顾丹丽 |
地址: | 日本国神奈川县横滨市金沢区*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 照射 装置 以及 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种激光照射装置,其特征在于,包括:
一光学系统模块,用于向一照射对象发射激光;
第一遮光板,所述第一遮光板内形成有供所述激光通过的第一狭缝,所述第一遮光板朝所述光学系统模块弯曲;以及
一反射光接收部件,设于所述光学系统模块与所述第一遮光板之间,其中,
所述反射光接收部件能够接收所述激光中被所述第一遮光板反射的第一反射光。
2.根据权利要求1所述的激光照射装置,其特征在于,还包括第二遮光板,所述第二遮光板内形成有第二狭缝,供已通过所述第一狭缝的所述激光通过,其中,
所述反射光接收部件能够接收所述激光中被所述第二遮光板反射的第二反射光。
3.根据权利要求1或2所述的激光照射装置,其特征在于,所述反射光接收部件包括一冷却套管,所述冷却套管包括供冷却剂流动的一冷却剂通道。
4.根据权利要求1或2所述的激光照射装置,其特征在于,所述反射光接收部件包括设于光学系统模块侧的一隔热气层,所述隔热气层含有空气。
5.根据权利要求1或2所述的激光照射装置,其特征在于,所述反射光接收部件包括设于第一遮光板侧的一吸热元件,所述吸热元件用于吸收热量。
6.根据权利要求5所述的激光照射装置,其特征在于,所述吸热元件的第一遮光板侧的表面上形成有一多层吸热膜,所述多层吸热膜包括多层用于吸收热量的吸热膜。
7.根据权利要求6所述的激光照射装置,其特征在于,所述多层吸热膜针对所述第一反射光的入射角具有一预定容差。
8.根据权利要求5所述的激光照射装置,其特征在于,所述吸热元件的第一遮光板侧的表面经过结霜工艺处理。
9.根据权利要求5所述的激光照射装置,其特征在于,所述吸热元件的光学系统模块侧的表面上形成有一多层吸热膜,所述多层吸热膜包括多层用于吸收热量的吸热膜。
10.根据权利要求5所述的激光照射装置,其特征在于,形成于所述吸热元件的第一遮光板侧的表面上且包括多层用于吸收热量的吸热膜的所述多层吸热膜的吸收率低于形成于所述吸热元件的光学系统模块侧的表面上的所述多层吸热膜的吸收率。
11.根据权利要求1或2所述的激光照射装置,其特征在于,所述第一遮光板的光学系统模块侧的表面上设有反射镜。
12.根据权利要求11所述的激光照射装置,其特征在于,所述反射镜的反射膜针对所述激光的入射角具有一预定容差。
13.根据权利要求1或2所述的激光照射装置,其特征在于,
所述第一遮光板包括一水平部分以及自所述水平部分向所述光学系统模块倾斜的部分,以及
所述第一反射光包括在发射至所述第一遮光板上的所述激光被所述倾斜部分反射时生成的反射光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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