[发明专利]一种SRAM接触插塞测试结构在审
| 申请号： | 202310485965.3 | 申请日： | 2023-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN116631483A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 谷东光;应翌黛;常建光 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08;G11C5/02;G06F30/398 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 赵娟娟 |
| 地址： | 200123 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SRAM接触插塞测试结构。所述SRAM接触插塞测试结构通过基于SRAM存储单元版图的真实结构环境设置接触插塞测试结构，将部分有源区进行分隔，并将分隔后的有源区上的部分正常接触插塞设置为共享接触插塞，保持接触插塞周围结构基本不变的情况下形成接触插塞串联结构，串联结构以外的组件作为虚拟图案不形成电路，不影响测量结果，实现模拟SRAM存储单元版图真实结构环境对共享接触插塞性能进行测试，以减少共享接触插塞接触不良问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 接触 测试 结构 | ||
【主权项】：
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