[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202310445749.6 | 申请日： | 2023-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN116564815A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 黄秀洪;余良;苏芳;杨文敏;相奇;杨俊 | 申请（专利权）人： | 广东芯粤能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 高雪 |
| 地址： | 511458 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；于衬底的表面形成第一导电类型的第一外延层；于第一导电类型的第一外延层远离衬底的表面形成第二导电类型的外延材料层，第二导电类型与第一导电类型不同；于第二导电类型的外延材料层远离第一导电类型的第一外延层的表面形成第一导电类型的外延材料层；以第二导电类型的外延材料层作为刻蚀停止侦测层，刻蚀第一导电类型的外延材料层，以得到第一导电类型的第二外延层，第一导电类型的第二外延层内形成有沟槽。本申请的半导体结构的制备方法，可以精确控制所得沟槽的深度，帮助提升半导体结构尺寸的准确性，获得性能优良的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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