[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

于所述衬底的表面形成第一导电类型的第一外延层；

于所述第一导电类型的第一外延层远离所述衬底的表面形成第二导电类型的外延材料层，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同；

于所述第二导电类型的外延材料层远离所述第一导电类型的第一外延层的表面形成第一导电类型的外延材料层；

以所述第二导电类型的外延材料层作为刻蚀停止侦测层，刻蚀所述第一导电类型的外延材料层，以得到第一导电类型的第二外延层，所述第一导电类型的第二外延层内形成有沟槽。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述以所述第二导电类型的外延材料层作为刻蚀停止侦测层，刻蚀所述第一导电类型的外延材料层，以得到第一导电类型的第二外延层之后，还包括：

对所述沟槽底部的所述第二导电类型的外延材料层进行第一导电类型的离子注入，以得到包括交替排布的第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区的外延层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述对所述沟槽底部的所述第二导电类型的外延材料层进行第一导电类型的离子注入，以得到包括交替排布的第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区的外延层之后，还包括：

于所述第一导电类型的第二外延层内形成第一导电类型的阱区、第二导电类型的阱区及第二导电类型的注入区；其中，所述第二导电类型的注入区贯穿所述第一导电类型的阱区、所述第二导电类型的阱区及所述第一导电类型的第二外延层，与所述第二导电类型掺杂区相接触。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第一导电类型的第二外延层内形成第一导电类型的阱区、第二导电类型的阱区及第二导电类型的注入区之后，还包括：

于所述沟槽内形成介质层，所述介质层覆盖所述沟槽的侧壁及底部；

于所述沟槽内形成导电层。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一导电类型包括N型且所述第二导电类型包括P型，或所述第一导电类型包括P型且所述第二导电类型包括N型。

6.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

第一导电类型的第一外延层，位于所述衬底的表面；

外延层，包括交替排布的第一导电类型掺杂区及第二导电类型掺杂区，位于所述第一导电类型的第一外延层远离所述衬底的表面；

第一导电类型的第二外延层，位于所述外延层远离所述第一导电类型的第一外延层的表面；

沟槽，位于所述第一导电类型的第二外延层内。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括碳化硅衬底，所述第一导电类型的第一外延层、所述第二导电类型的外延材料层及所述第一导电类型的第二外延层均包括碳化硅外延层。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

第一导电类型的阱区，位于所述第一导电类型的第二外延层内；

第二导电类型的阱区，位于所述第一导电类型的第二外延层内，且位于所述第一导电类型的阱区与所述外延层之间；

第二导电类型的注入区，贯穿所述第一导电类型的阱区、所述第二导电类型的阱区及所述第一导电类型的第二外延层，与所述第二导电类型掺杂区相接触。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

介质层，覆盖所述沟槽的侧壁及底部；

导电层，位于所述沟槽内。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电类型包括N型且所述第二导电类型包括P型，或所述第一导电类型包括P型且所述第二导电类型包括N型。