[发明专利]一种蚀刻液及其制备方法与应用在审
申请号: | 202310395606.9 | 申请日: | 2023-04-12 |
公开(公告)号: | CN116411278A | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
发明(设计)人: | 张伟明;聂航;章学春;沈楠;李玉兴 | 申请(专利权)人: | 上海盛剑微电子有限公司 |
主分类号: | C23F1/26 | 分类号: | C23F1/26;C23F1/20;C23F1/02 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 颜欢 |
地址: | 201400 上海市奉贤区上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种蚀刻液及其制备方法与应用,属于蚀刻剂技术领域。按质量百分数计,该蚀刻液包括2.00‑15.00wt%的过氧酸、2.00‑15.00wt%的有机酸A及2.00‑25.00wt%的有机酸B,余量为水;有机酸A包括甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、辛酸、己二酸、乙二酸、丙二酸及苯甲酸中的至少一种;有机酸B包括甲基磺酸、苹果酸、柠檬酸、马来酸及酒石酸中的至少一种。通过以上述蚀刻液对银与ITO膜构成的多层膜的银进行刻蚀,不仅避免了使用磷酸所导致的对基板中钛铝钛层有一定的损伤且不利于环保的问题,而且可有效去除ITO/Ag/ITO结构,形成优异的轮廓,没有银与ITO残渣,也无Ag的再吸附现象发生。 | ||
搜索关键词: | 一种 蚀刻 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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