[发明专利]一种蚀刻液及其制备方法与应用

说明书

本发明公开了一种蚀刻液及其制备方法与应用，属于蚀刻剂技术领域。按质量百分数计，该蚀刻液包括2.00‑15.00wt％的过氧酸、2.00‑15.00wt％的有机酸A及2.00‑25.00wt％的有机酸B，余量为水；有机酸A包括甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、辛酸、己二酸、乙二酸、丙二酸及苯甲酸中的至少一种；有机酸B包括甲基磺酸、苹果酸、柠檬酸、马来酸及酒石酸中的至少一种。通过以上述蚀刻液对银与ITO膜构成的多层膜的银进行刻蚀，不仅避免了使用磷酸所导致的对基板中钛铝钛层有一定的损伤且不利于环保的问题，而且可有效去除ITO/Ag/ITO结构，形成优异的轮廓，没有银与ITO残渣，也无Ag的再吸附现象发生。

技术领域

本发明涉及蚀刻剂技术领域，具体而言，涉及一种蚀刻液及其制备方法与应用。

背景技术

随着科技的发展，显示器广泛应用于手机和平板。有机发光元件(OLED)的制造工艺包括：首先在基板上形成金属薄膜，然后在该薄膜上形成具有预定图案的保护膜，再将其作为掩膜对金属薄膜进行蚀刻。银作为一个电导率和载流子迁移率均较高并且具有较高亮度的金属，广泛应用于阳极布线(ITO/Ag/ITO)结构中。

目前现有技术中所用的蚀刻液不但无法有效去除ITO/Ag/ITO部位，且对基板其他部位的钛铝钛层也有一定的损伤。

其中，对于同一基板(玻璃基板)而言，其表面既包括ITO/Ag/ITO部位，又包括钛铝钛部位(例如左边区域对应ITO/Ag/ITO部位，右边区域对应钛铝钛部位)。

鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种蚀刻液以解决现有技术中蚀刻液对钛铝钛层部位的损伤问题。

本发明的目的之二在于提供一种上述蚀刻液的制备方法。

本发明的目的之三在于提供一种上述蚀刻液的应用。

第一方面，本发明提供一种蚀刻液，按质量百分数计，其包括2.00wt％-15.00wt％的过氧酸、2.00wt％-15.00wt％的有机酸A以及2.00wt％-25.00wt％的有机酸B，余量为水；

其中，有机酸A包括甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、辛酸、己二酸、乙二酸、丙二酸、苯甲酸、苯乙酸、邻苯二甲酸、对苯二甲酸、戊酸、己酸以及癸酸中的至少一种；

有机酸B包括甲基磺酸、苹果酸、柠檬酸、马来酸以及酒石酸中的至少一种。

上述过氧酸作为蚀刻反应的主氧化剂，起到使银和ITO膜氧化而执行湿式蚀刻的作用；有机酸A作为辅助氧化剂，在蚀刻过程中随着主氧化剂含量降低，氢离子浓度的减少，蚀刻速度将降低，而有机物A可以源源不断的提供氢离子，从而保证氢离子浓度的稳定性，保证了蚀刻速度；有机酸B主要用于提供额外的氢离子以调节蚀刻液的pH值，从而使氧化反应能够顺利进行，并确保蚀刻后可形成较优异的轮廓。

含有上述配比关系的过氧酸、有机酸A和有机酸B的蚀刻液，可避免使用磷酸，不仅能够降低蚀刻液的成本(包括原料成本和废水处理成本等)，而且还能有效避免使用磷酸所导致的对基板表面其他部位的钛铝钛层有一定的损伤的问题，有效去除ITO/Ag/ITO结构。

在可选的实施方式中，蚀刻液还包括10.00wt％-30.00wt％的无机盐。

无机盐可通过控制蚀刻液组分的pH，减少ITO薄膜的银(Ag)再吸附，并可调节蚀刻速度以在去除ITO膜残渣时均匀地蚀刻。

在可选的实施方式中，蚀刻液还包括0.01wt％-1.00wt％的金属形貌改善剂。

金属形貌改善剂可改善银以及ITO膜层的形貌。