[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 202310369444.1 | 申请日： | 2023-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN116322040A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 黄友杰;叶长福;上官明沁;陈旋旋 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 汤金燕 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开一种半导体器件的形成方法，包括：形成牺牲层，设置在衬底上；进行第一蚀刻工艺，移除部分牺牲层，形成多个第一凹槽；形成第一介质层；进行第二蚀刻工艺，移除多个第一凹槽外的所述第一介质层，形成第一隔离结构，所述第一隔离结构中存在缝隙；进行第三蚀刻工艺，刻蚀所述多个第一隔离结构，以去除所述多个第一隔离结构顶端的部分介质材料，暴露所述缝隙；形成第二介质层，覆盖所述多个第一隔离结构和所述牺牲层，所述第二介质层填充各个所述缝隙的至少部分空间；进行第四蚀刻工艺，移除所述第二介质层的顶部，直至暴露所述牺牲层，形成第二隔离结构。本申请能够使隔离结构中的缝隙得到消除或者有效减小，具有更稳定的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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