[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：

提供衬底；

形成牺牲层，设置在所述衬底上；

进行第一蚀刻工艺，移除部分所述牺牲层，形成多个第一凹槽；

形成第一介质层，覆盖所述牺牲层并填充所述多个第一凹槽；

进行第二蚀刻工艺，移除所述多个第一凹槽外的所述第一介质层，形成第一隔离结构，所述第一隔离结构中存在缝隙；

进行第三蚀刻工艺，刻蚀所述多个第一隔离结构，以去除所述多个第一隔离结构顶端的部分介质材料，暴露所述缝隙；

形成第二介质层，覆盖所述多个第一隔离结构和所述牺牲层，所述第二介质层填充各个所述缝隙的至少部分空间；

进行第四蚀刻工艺，移除所述第二介质层的顶部，直至暴露所述牺牲层，形成第二隔离结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第三蚀刻工艺包括：

形成多个凹陷于所述第一隔离结构中，所述多个凹陷包括上凹陷和下凹陷，其中所述下凹陷形成于所述缝隙之间，所述上凹陷形成于所述第一隔离结构顶部。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述下凹陷的宽度小于或者等于所述上凹陷的宽度。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述第二介质层之前，所述形成方法还包括：

形成保形覆盖所述凹陷的第一氧化层，以使所述凹陷位于所述第一氧化层之间。

5.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第四蚀刻工艺后包括：

在所述第二隔离结构表面形成第二氧化层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述牺牲层之前还包括：

在所述衬底内形成多条掩埋字线，所述多条掩埋字线包括顶部的掩膜盖层；

形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述衬底和所述多条掩埋字线。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：

所述第一蚀刻工艺所形成的多个所述第一凹槽底部低于所述缓冲层。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：

所述第二蚀刻工艺所形成的多个所述第一隔离结构的底部与所述多条掩埋字线顶部的所述掩膜盖层直接接触；

所述第四蚀刻工艺所形成的多个所述第二隔离结构的底部与多条所述掩埋字线顶部的所述掩膜盖层直接接触。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：

所述第一介质层和所述第二介质层包括相同的材料。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：

所述第一介质层和所述第二介质层包括氮化硅。