[发明专利]纳米柱及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202310358565.6 | 申请日： | 2023-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN116387416A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王阳;王国斌 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B82Y40/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 曾菊花 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米柱及其制备方法与应用，该制备方法包括如下步骤：对设置于衬底上的金属成核层进行热退火处理，使金属成核层转变为间隔分布的金属液滴；利用金属液滴作为催化剂，在衬底上生长纳米柱；其中，纳米柱与金属成核层具有至少1种相同的金属元素。本发明提供的制备方法无需采用刻蚀工艺，避免了刻蚀导致的发光效率下降的问题，而且，还能够避免金属催化剂制备过程对衬底的污染，避免了金属液滴残留对器件性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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