[发明专利]闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法在审
| 申请号： | 202310324563.5 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116209263A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 夏鹏;李冰寒;江红;高超 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法，版图包括：有源区版图层，包括多个沿第一方向平行排列的有源区，有源区包括有效有源区与虚拟有源区；第一浮栅版图层，包含多个沿第二方向平行排列的第一浮栅图形；第二浮栅版图层，包括多个沿第二方向平行排列的第二浮栅图形，第二浮栅图形两两相对设置于连接区两侧，在每个连接区内，第二浮栅图形隔行设置于第一浮栅图形上，相邻的第一浮栅图形在不同的连接区内设置有第二浮栅图形；控制栅接触孔版图层，包括位于连接区内且沿第二方向延伸的控制栅接触孔图形；本发明采用上述版图层最终形成浮栅与控制栅，与现有技术相比，连接区面积缩小，存储单元有效面积利用率提高，工艺窗口增大。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 存储器 版图 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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