[发明专利]闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种闪存存储器版图，包括多个有效区以及位于相邻有效区之间的连接区，其特征在于，所述闪存存储器版图包括：

有源区版图层，所述有源区版图层包括多个沿第一方向平行排列的有源区，所述有源区包括位于所述有效区内的有效有源区以及位于所述有效区与所述连接区之间的虚拟有源区；

第一浮栅版图层，所述第一浮栅版图层包括多个沿第二方向平行排列的第一浮栅图形；

第二浮栅版图层，所述第二浮栅版图层包括多个沿第二方向平行排列的第二浮栅图形，所述第二浮栅图形两两相对设置于所述连接区两侧，且在每个所述连接区内，所述第二浮栅图形隔行设置于所述第一浮栅图形上，相邻的所述第一浮栅图形在不同的连接区内设置有所述第二浮栅图形；以及

控制栅接触孔版图层，所述控制栅接触孔版图层包括位于所述连接区内且沿所述第二方向延伸的控制栅接触孔图形。

2.根据权利要求1所述的闪存存储器版图，其特征在于，多个所述有源区呈直条形沿所述第一方向平行排列且沿所述第二方向延伸；多个所述第一浮栅图形呈直条形沿所述第二方向平行排列且沿所述第一方向延伸；所述第一方向与所述第二方向相互垂直。

3.根据权利要求2所述的闪存存储器版图，其特征在于，所述第二浮栅图形在所述第二方向上呈直条形，且位于同一所述连接区内的同一侧的所述第二浮栅图形在所述第二方向上的延长线相重叠。

4.根据权利要求3所述的闪存存储器版图，其特征在于，所述控制栅接触孔图形呈长条形沿所述第二方向延伸，所述控制栅接触孔图形与所述连接区内相对两侧的所述第二浮栅图形均部分重叠。

5.根据权利要求4所述的闪存存储器版图，其特征在于，所述闪存存储器版图还包括边缘区，所述边缘区与所述有效区之间设置有所述连接区，所述连接区靠近所述边缘区的一侧的所述第二浮栅图形呈直条形且沿所述第二方向延伸。

6.根据权利要求1所述的闪存存储器版图，其特征在于，所述连接区的两侧各设置有一个所述虚拟有源区，位于所述连接区一侧的所述虚拟有源区作为参考单元有源区，位于所述连接区另一侧的所述虚拟有源区作为字线接触孔区域。

7.根据权利要求1所述的闪存存储器版图，其特征在于，每个所述有效区内的所述有效有源区的个数为128个。

8.一种闪存存储器的制作方法，其特征在于，采用如权利要求1至7中任一项所述的闪存存储器版图进行制作，所述制作方法包括：

提供衬底，所述衬底包括多个有效区以及位于相邻有效区之间的连接区；

在所述衬底上形成浮栅多晶硅层与控制栅多晶硅层；

利用第一掩膜版对所述控制栅多晶硅层进行图形化，所述第一掩膜版具有第二浮栅版图层；

利用第二掩膜版对所述控制栅多晶硅层与所述浮栅多晶硅层进行图形化，所述第二掩膜版具有第一浮栅版图层；以及

利用第三掩膜版对所述控制栅多晶硅层与所述浮栅多晶硅层进行图形化，形成控制栅与浮栅，所述第三掩膜版具有控制栅接触孔版图层；

其中，每条所述浮栅上设置有一组两条相隔离的所述控制栅，相邻的每组控制栅在不同的所述连接区被隔断，每组控制栅中的第一控制栅具有向上一组的第二控制栅延伸的连接块，第二控制栅具有向下一组的第一控制栅延伸的连接块，所述连接块上用于形成接触孔。

9.根据权利要求8所述的闪存存储器的制作方法，其特征在于，每组控制栅每隔一个连接区被隔断。

10.根据权利要求9所述的闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述控制栅的长度包括256个有效有源区、4个虚拟有源区以及一个所述连接区。

11.根据权利要求8所述的闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述衬底还包括边缘区，所述边缘区与所述有效区之间设置有连接区，每条所述控制栅在靠近所述边缘区一侧的所述连接区内被隔断。

12.一种闪存存储器，其特征在于，采用如权利要求8至11中任一项所述的闪存存储器的制作方法制作而成。