[发明专利]闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法

说明书

本发明提供一种闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法，版图包括：有源区版图层，包括多个沿第一方向平行排列的有源区，有源区包括有效有源区与虚拟有源区；第一浮栅版图层，包含多个沿第二方向平行排列的第一浮栅图形；第二浮栅版图层，包括多个沿第二方向平行排列的第二浮栅图形，第二浮栅图形两两相对设置于连接区两侧，在每个连接区内，第二浮栅图形隔行设置于第一浮栅图形上，相邻的第一浮栅图形在不同的连接区内设置有第二浮栅图形；控制栅接触孔版图层，包括位于连接区内且沿第二方向延伸的控制栅接触孔图形；本发明采用上述版图层最终形成浮栅与控制栅，与现有技术相比，连接区面积缩小，存储单元有效面积利用率提高，工艺窗口增大。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法。

背景技术

闪存(flash)由于其具有高密度、低价格、以及电可编程、擦除的优点，已被广泛作为非易失性记忆体应用的最优选择。一般而言，浮栅型闪存都有着类似的原始存储单元(cell)它们都有层叠的栅极结构，该栅极结构包括浮栅和至少覆盖浮栅的控制栅。其中，所述控制栅通过耦合以控制浮栅中电子的存储与释放。

Nord flash的擦除是发生在浮栅与字线之间的福勒诺海隧穿，通过在字线与控制栅上施加高低电压，使得浮栅与字线之间形成较高的电势差与电场强度，浮栅中存储的电子隧穿通过隧穿氧化层，使浮栅上的电势由负变正，从而改变存储状态。

Nord flash目前将控制栅引出的方法为：每隔256根有效有源区设置一个条状(strap)区域，通过控制栅接触孔版图制作而成的掩膜版的图形化以及第二浮栅版图制作而成的掩膜版的图形化将控制栅露出，并与其他行的控制栅隔断，之后通过接触孔引出控制栅。

具体的工艺流程包括：形成控制栅多晶硅层之后，通过第二浮栅版图制作而成的掩膜版的图形化(即曝光与显影)将第二浮栅版图覆盖区域的控制栅多晶硅层去除；之后通过控制栅接触孔版图的图形化保护控制栅接触孔版图覆盖区域的控制栅多晶硅层，其余除第一浮栅版图和控制栅接触孔版图覆盖区域的控制栅多晶硅层均被去除，最终形成控制栅。然而这种结构比较占用面积，且工艺窗口较小。

发明内容

本发明的目的在于提供一种闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法，提高存储单元的有效面积利用率，增大工艺窗口。

为解决上述技术问题，根据本发明的第一个方面，提供了一种闪存存储器版图，包括多个有效区以及位于相邻有效区之间的连接区，所述闪存存储器版图包括：

有源区版图层，所述有源区版图层包括多个沿第一方向平行排列的有源区，所述有源区包括位于所述有效区内的有效有源区以及位于所述有效区与所述连接区之间的虚拟有源区；

第一浮栅版图层，所述第一浮栅版图层包括多个沿第二方向平行排列的第一浮栅图形；

第二浮栅版图层，所述第二浮栅版图层包括多个沿第二方向平行排列的第二浮栅图形，所述第二浮栅图形两两相对设置与所述连接区两侧，且在每个所述连接区内，所述第二浮栅图形隔行设置于所述第一浮栅图形上，相邻的所述第一浮栅图形在不同的连接区内设置有所述第二浮栅图形；以及

控制栅接触孔版图层，所述控制栅接触孔版图层包括位于所述连接区内且沿所述第二方向延伸的控制栅接触孔图形。

可选的，多个所述有源区呈直条形沿所述第一方向平行排列且沿所述第二方向延伸；多个所述第一浮栅图形呈直条形沿所述第二方向平行排列且沿所述第一方向延伸；所述第一方向与所述第二方向相互垂直。

可选的，所述第二浮栅图形在所述第二方向上呈直条形，且位于同一所述连接区内的同一侧的所述第二浮栅图形在所述第二方向上的延长线相重叠。

可选的，所述控制栅接触孔图形呈长条形沿所述第二方向延伸，所述控制栅接触孔图形与所述连接区内相对两侧的所述第二浮栅图形均部分重叠。