[发明专利]一种集成HJD的SiC VDMOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310312836.4 | 申请日： | 2023-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN116364778A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 何艳静;付皓瑜;袁昊;宋庆文;汤晓燕;弓小武;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 万艳艳 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成HJD的SiC VDMOSFET器件及其制备方法，包括：金属化漏极、N+衬底层、N‑外延层、P‑基区、P+注入区、N+注入区、N‑掺杂区、P+多晶硅区、栅介质层、N+多晶硅栅极和金属化源极。其中，P‑基区、P+注入区和N‑掺杂区的深度相同，源极与P+注入区、N+注入区和P+多晶硅区之间的接触界面为欧姆接触，P+多晶硅区与N‑掺杂区的界面为异质结接触。本发明在器件内集成了异质结二极管结构，提高了元胞面积的利用率，进一步减小开启电压的同时减小了栅电容，减小了开启时间和器件的开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 hjd sic vdmosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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