[发明专利]磨片与腐蚀结合提高硅片正背面平坦度的工艺在审
| 申请号： | 202310287234.8 | 申请日： | 2023-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN116387138A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 何荣;张森阳;蔡来强;高威;缪燃 | 申请（专利权）人： | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人： | 沈相权 |
| 地址： | 311201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种磨片与腐蚀结合提高硅片正背面平坦度的工艺，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：步骤一：采用磨片设备对硅片进行磨片；磨片去除量为65±5μm，磨片后硅片厚度为770±5μm。将线切后的硅片放置到研磨载体的硅片槽内，每个研磨载体放置5枚硅片，磨片机架上有5个研磨载体，研磨载体的厚度620～737μm，硅片放置好后，开始磨片加工。步骤二：进行腐蚀工艺去除磨片后的损伤层，腐蚀去除量为30±3μm。酸腐蚀前对硅片进行清洗，在腐蚀设备上对硅片进行酸腐蚀。通过磨片和腐蚀2个工艺结合，提高硅片正面背面平坦度，使得抛光前获得较好的正背面平坦度，抛光后能获得较好的平坦度结果。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀 结合 提高 硅片 背面 平坦 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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