[发明专利]磨片与腐蚀结合提高硅片正背面平坦度的工艺

说明书

本发明涉及一种磨片与腐蚀结合提高硅片正背面平坦度的工艺，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：步骤一：采用磨片设备对硅片进行磨片；磨片去除量为65±5μm，磨片后硅片厚度为770±5μm。将线切后的硅片放置到研磨载体的硅片槽内，每个研磨载体放置5枚硅片，磨片机架上有5个研磨载体，研磨载体的厚度620～737μm，硅片放置好后，开始磨片加工。步骤二：进行腐蚀工艺去除磨片后的损伤层，腐蚀去除量为30±3μm。酸腐蚀前对硅片进行清洗，在腐蚀设备上对硅片进行酸腐蚀。通过磨片和腐蚀2个工艺结合，提高硅片正面背面平坦度，使得抛光前获得较好的正背面平坦度，抛光后能获得较好的平坦度结果。

技术领域

本发明涉及硅片加工技术领域，具体涉及一种磨片与腐蚀结合提高硅片正背面平坦度的工艺。

背景技术

随着器件特征尺寸的减小，对硅片表面质量要求越来越高，对于8寸抛光片，平坦度(总平坦度，局部平坦度)是一个非常重要的特征尺寸。平坦度是指硅片背面为理想平面时，硅片正面相对于某一规定基准面的偏差。目前平坦度一般采用非接触电容法检测，通过此方法测量背面的起伏变化会被叠加到正面，从而造成测试结果大于实际值。

硅片背面的不平整度会影响到硅片平坦度的测量值，如果硅片背面起伏较大，即使正面足够平整，硅片的平坦度参数仍然不好，因为需要同时提升硅片正面与背面平整度。

硅片抛光一般采用背面贴蜡抛光，背面贴蜡，对硅片正面进行抛光。采用单面抛光，抛光后平坦度受背面影响较大，1、硅片背面不整度，会影响背面贴蜡的均匀性，影响贴蜡效果，从而导致抛光平坦度降低，2、背面不平整度还会放大平坦度测量值，因为平坦度测量时，背面的不平整度会叠加到正面。

发明内容

本发明主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种磨片与腐蚀结合提高硅片正背面平坦度的工艺，通过磨片和腐蚀2个工艺结合，提高硅片正面背面平坦度，使得抛光前获得较好的正背面平坦度，抛光后能获得较好的平坦度结果。

本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：

一种磨片与腐蚀结合提高硅片正背面平坦度的工艺，包括如下操作步骤：

步骤一：采用磨片设备对硅片进行磨片；磨片去除量为65±5μm，磨片后硅片厚度为770±5μm。

第一步：磨片设备先开机，对磨片需要的研磨剂进行配液。

第二步：将线切后的硅片放置到研磨载体的硅片槽内，每个研磨载体放置5枚硅片，磨片机架上有5个研磨载体，研磨载体的厚度620～737μm。

第三步：硅片放置好后，开始磨片加工，研磨载体和硅片放置与磨片机架上下定盘中间，上定盘固定，下定盘旋转，下定盘转速30r/min，研磨压力900KG。

第四步：在磨片设备内完成研磨后进行测厚和下料，接着目检合格后进入喷淋、鼓泡和洗净。

步骤二：进行腐蚀工艺去除磨片后的损伤层，腐蚀去除量为30±3μm。

第一步：酸腐蚀前对硅片进行清洗，目的是去除硅片表面的颗粒及沾污，避免在腐蚀过程中导致金属扩散和污迹。

第二步：在腐蚀设备上对硅片进行酸腐蚀，酸腐蚀的药液由HF、HNO3和CH3COOH，腐蚀加工流程为：打开硅片盒置于水车→倒片机→腐蚀笼→腐蚀机→倒片机→水车打开硅片盒置于水车。

腐蚀过程中腐蚀速率、腐蚀均匀性对腐蚀后硅片的形貌及平坦度起着非常关键的作用，通过控制腐蚀温度、腐蚀笼转速，N2鼓泡流量、N2鼓泡时间，控制腐蚀速率和腐蚀均匀性。

第三步：完成腐蚀过程的硅片经过目检合格后进入喷淋、鼓泡和洗净。