[发明专利]SOI MOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202310283811.6 | 申请日： | 2023-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN116190450A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 胡宁宁 | 申请（专利权）人： | 中芯先锋集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SOI MOS器件及其制作方法，所述器件包括：SOI衬底；位于SOI衬底上的栅极结构；位于栅极结构两侧的SOI衬底内的轻掺杂区；位于轻掺杂区内的源区与漏区，漏区的表面与轻掺杂区的表面相重合，源区的表面小于轻掺杂区的表面，且在源区远离栅极结构的一侧暴露出轻掺杂区的部分表面；以及至少位于暴露出的轻掺杂区的表面上的硅化物。本发明通过硅化物与下方的轻掺杂区形成欧姆接触，释放SOI MOS器件在体区内积累的空穴，从而抑制SOI MOS器件的浮体效应，提高器件可靠性；并且方法简单，不会增加器件的面积，并能够与常规CMOS工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | soi mos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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