[发明专利]SOI MOS器件及其制作方法

权利要求书

1.一种SOIMOS器件，其特征在于，包括：

SOI衬底；

位于所述SOI衬底上的栅极结构；

位于所述栅极结构两侧的所述SOI衬底内的轻掺杂区；

位于所述栅极结构两侧的所述轻掺杂区内的源区与漏区，所述漏区的表面与所述轻掺杂区的表面相重合，所述源区的表面小于所述轻掺杂区的表面，且所述源区靠近所述栅极结构，在所述源区远离所述栅极结构的一侧暴露出所述轻掺杂区的部分表面；以及

至少位于所述暴露出的轻掺杂区表面上的硅化物。

2.根据权利要求1所述的SOI MOS器件，其特征在于，所述漏区包含第一漏区与第二漏区，所述第一漏区位于所述轻掺杂区内靠近所述栅极结构的一侧，所述第二漏区位于所述轻掺杂区内远离所述栅极结构一侧。

3.根据权利要求2所述的SOI MOS器件，其特征在于，所述源区、所述第一漏区与所述第二漏区的掺杂深度均小于所述轻掺杂区的掺杂深度。

4.根据权利要求1所述的SOI MOS器件，其特征在于，所述SOI衬底上形成有隔离结构，所述栅极结构、所述轻掺杂区以及所述源区与所述漏区均位于相邻所述隔离结构之间；所述轻掺杂区与所述隔离结构相接触，所述轻掺杂区的底部与所述SOI衬底中的埋入氧化层相接触。

5.一种SOIMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供SOI衬底，在所述SOI衬底上形成栅极结构；

在所述栅极结构两侧的所述SOI衬底内形成轻掺杂区，在所述栅极结构两侧的所述SOI衬底内形成源区与漏区，所述源区与所述漏区位于所述轻掺杂区内，且所述漏区的表面与所述轻掺杂区的表面相重合,所述源区的表面小于所述轻掺杂区的表面，在所述源区远离所述栅极结构的一侧暴露出所述轻掺杂区的部分表面；以及

至少在所述暴露出的轻掺杂区的表面上形成硅化物。

6.根据权利要求5所述的SOI MOS器件的制作方法，其特征在于，在所述栅极结构两侧的所述SOI衬底内形成轻掺杂区的方法包括：进行第一次离子注入，在所述栅极结构两侧的所述SOI衬底内形成轻掺杂区。

7.根据权利要求5所述的SOI MOS器件的制作方法，其特征在于，在所述栅极结构两侧的所述SOI衬底内形成源区与漏区的方法包括：进行第二次离子注入，在所述栅极结构两侧的所述轻掺杂区内分别形成所述源区与第一漏区，以使所述轻掺杂区在远离所述栅极结构的一侧暴露出部分表面。

8.根据权利要求7所述的SOI MOS器件的制作方法，其特征在于，形成源区与漏区的方法还包括：进行第三次离子注入，在所述栅极结构一侧的所述轻掺杂区内形成第二漏区，所述第一漏区与所述第二漏区共同构成所述漏区。

9.根据权利要求8所述的SOI MOS器件的制作方法，其特征在于，所述源区、所述第一漏区与所述第二漏区的掺杂深度均小于所述轻掺杂区的掺杂深度。

10.根据权利要求5所述的SOI MOS器件的制作方法，其特征在于，在提供所述SOI衬底之后，在形成所述栅极结构之前，所述制作方法还包括：形成隔离结构，所述栅极结构、所述轻掺杂区以及所述源区与所述漏区均位于相邻所述隔离结构之间；

所述轻掺杂区与所述隔离结构相接触，所述轻掺杂区的底部与所述SOI衬底中的埋入氧化层相接触。

11.根据权利要求5所述的SOI MOS器件的制作方法，其特征在于，至少在所述暴露出的轻掺杂区的表面上形成硅化物的方法包括：

至少在所述暴露出的轻掺杂区的表面上形成金属层；

进行热处理形成所述硅化物。