[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202310247948.6 | 申请日： | 2023-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN116581104A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 杨静茹;张耀文;赖志忠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：互连结构至少包括第一互连元件和第二互连元件；导电垫层设置在第一互连元件上方并且电连接至第一互连元件；盖层设置在导电垫层上方。盖层包括氮化钛；介电层设置在盖层上方；导电接触件至少垂直延伸穿过介电层的第一部分和盖层，导电接触件通过导电垫层连接至第一互连元件；导电通孔垂直延伸穿过介电层的至少第二部分，导电通孔连接至第二互连元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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