[发明专利]半导体发光器件在审
| 申请号： | 202310247408.8 | 申请日： | 2023-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN116190513A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 闫春辉;杨安丽;杜彦浩;孙伟;聂大伟;何婧婷;钟增梁 | 申请（专利权）人： | 纳微朗科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/02;H01L33/36 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区观*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了半导体发光器件。半导体发光器件包括多量子阱发光层、第一电极、第二电极、第一混合半导体层和第二混合半导体层，第一混合半导体层和第二混合半导体层设置于多量子阱发光层相对的两侧；第一电极设置于第一混合半导体层远离多量子阱发光层的一侧，第二电极设置于第二混合半导体层远离多量子阱发光层的一侧。通过上述方式，本申请能够实现半导体发光器件在交流电的全波段发光。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳微朗科技（深圳）有限公司，未经纳微朗科技（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310247408.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
