[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括多量子阱发光层、第一电极、第二电极、第一混合半导体层和第二混合半导体层，所述第一混合半导体层和所述第二混合半导体层设置于所述多量子阱发光层相对的两侧；所述第一电极设置于所述第一混合半导体层远离所述多量子阱发光层的一侧，所述第二电极设置于所述第二混合半导体层远离所述多量子阱发光层的一侧；

其中，所述多量子阱发光层包括层叠设置的多层量子阱层，所述多量子阱发光层的结构以所述多量子阱发光层的中心剖面为对称平面对称设置；所述第一混合半导体层包括分别与所述多量子阱发光层连接的第一P型区和第一N型区，其中所述第一P型区和所述的第一N型区形成于同一外延结构中，所述第二混合半导体层包括分别与所述多量子阱发光层连接的第二P型区和第二N型区，其中所述的第二P型区和所述的第二N型区形成于同一外延结构中，所述第一P型区和所述第二N型区相对设置，所述第一N型区和所述第二P型区相对设置；所述第一电极与所述第一P型区和所述第一N型区连接，所述第二电极与所述第二P型区和所述第二N型区连接。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述量子阱层的禁带宽度自所述多量子阱发光层的中部向两侧逐渐增加或逐渐减小。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述第一混合半导体层与所述第一电极之间还设置有隧穿结构，所述隧穿结构包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第一掺杂区设置于所述第一P型区靠近所述第一电极的一侧，所述第二掺杂区设置于所述第一N型区靠近所述第一电极的一侧，所述第三掺杂区设置于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区靠近所述第二电极的一侧，所述第一掺杂区的掺杂类型为P，且掺杂浓度高于所述第一P型区，所述第二掺杂区的掺杂类型为N，且掺杂浓度高于所述第一N型区，所述第三掺杂区的掺杂类型为N，且掺杂浓度高于所述第二掺杂区。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述第二混合半导体层与所述第二电极之间还设置有隧穿结构，所述隧穿结构包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第一掺杂区设置于所述第二P型区靠近所述第二电极的一侧，所述第二掺杂区设置于所述第二N型区靠近所述二电极的一侧，所述第三掺杂区设置于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区靠近所述第二电极的一侧，所述第一掺杂区的掺杂类型为P，且掺杂浓度高于所述第二P型区，所述第二掺杂区的掺杂类型为N，且掺杂浓度高于所述第二N型区，所述第三掺杂区的掺杂类型为N，且掺杂浓度高于所述第二掺杂区。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述第一混合半导体层包括多个所述第一P型区和所述第一N型区，每一所述第一P型区与多个所述第一N型区相邻，每一所述第一N型区与多个所述第一P型区相邻；所述第二混合半导体层包括多个所述第二P型区和所述第二N型区，每一所述第二P型区与多个所述第二N型区相邻，每一所述第二N型区与多个所述第二P型区相邻。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述第一混合半导体层包括多个所述第一P型区和所述第一N型区，所述第一P型区和所述第一N型区交替相邻；所述第二混合半导体层包括多个所述第二P型区和所述第二N型区，所述第二P型区和所述第二N型区交替相邻。

7.根据权利要求5或6所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述第一电极在所述第一混合半导体层的投影将每个所述第一P型区和每个所述第一N型区至少部分覆盖，所述第二电极在所述第二混合半导体层的投影将每个所述第二P型区和每个所述第二N型区至少部分覆盖。

8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述半导体发光器件还包括介电层，所述介电层位于所述多量子阱发光层的中部，并将所述量子阱发光层分隔为对称的两部分。