[发明专利]半导体发光器件

说明书

本申请公开了半导体发光器件。半导体发光器件包括多量子阱发光层、第一电极、第二电极、第一混合半导体层和第二混合半导体层，第一混合半导体层和第二混合半导体层设置于多量子阱发光层相对的两侧；第一电极设置于第一混合半导体层远离多量子阱发光层的一侧，第二电极设置于第二混合半导体层远离多量子阱发光层的一侧。通过上述方式，本申请能够实现半导体发光器件在交流电的全波段发光。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及半导体发光器件。

背景技术

发光二极管，简称为LED，是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光。发光二极管可高效地将电能转化为光能，在照明领域应用广泛。由于发光二极管维持发光需要电流具有单一方向，所以发光二极管在交流电的场景下应用时，一般通过多个发光二极管形成桥接电路。但发光二极管通过桥接电路这种方式仅能够在交流电的半波段发光，发光效率低。

发明内容

本申请的实施例提供一种半导体发光器件，能够在交流电的全波段发光。

本申请实施例提供一种半导体发光器件。半导体发光器件包括多量子阱发光层、第一电极、第二电极、第一混合半导体层和第二混合半导体层，第一混合半导体层和第二混合半导体层设置于多量子阱发光层相对的两侧；第一电极设置于第一混合半导体层远离多量子阱发光层的一侧，第二电极设置于第二混合半导体层远离多量子阱发光层的一侧。其中，多量子阱发光层包括层叠设置的多层量子阱层，多量子阱发光层的结构以多量子阱发光层的中心剖面为对称平面对称设置。第一混合半导体层包括分别与多量子阱发光层连接的第一P型区和第一N型区，其中第一P型区和的第一N型区形成于同一外延结构中。第二混合半导体层包括分别与多量子阱发光层连接的第二P型区和第二N型区，其中的第二P型区和的第二N型区形成于同一外延结构中。第一P型区和第二N型区相对设置，第一N型区和第二P型区相对设置。第一电极与第一P型区和第一N型区连接，第二电极与第二P型区和第二N型区连接。

本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，多量子阱发光层能够在电流的作用下发光，从而进行照明。第一混合半导体层和第二混合半导体层能够与电极连接，从而与交流电网电连接。第一混合半导体层和第二混合半导体层分别设置与多量子阱发光层相对的两侧。其中，第一P型区和第二N型区相对设置，如此，在交流电的电流方向是由第一混合半导体层流向第二混合半导体层的情况下，电流能够从第一P型区流经多量子阱发光层流向第二N型区。第二P型区和第一N型区相对设置，如此，在交流电的电流方向是由第二混合半导体层流向第一混合半导体层的情况下，电流能够从第二P型区流经多量子阱发光层流向第一N型区。综上，交流电的不同波段均能够通过第一混合半导体层和第二混合半导体层传输至多量子阱发光层，从而使多量子阱发光层能够在交流电的全波段发光。并且，多量子阱发光层的结构以其中心剖面对称设置，从而使得交流电的不同波段流经多量子阱发光层时，电流所经过的量子阱结构近似，从而使发光能够相对均匀。

附图说明

图1是本申请半导体发光器件第一实施例的结构示意图；

图2是图1所示半导体发光器件的俯视图；

图3是本申请半导体发光器件第二实施例的结构示意图；

图4是本申请半导体发光器件第三实施例的结构示意图；

图5是本申请半导体发光器件第四实施例的结构示意图；

图6是本申请半导体发光器件第五实施例的结构示意图；

图7是本申请半导体发光器件第六实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。