[发明专利]上拉阻抗校准方法及装置、电子设备在审

专利信息
申请号: 202310202471.X 申请日: 2023-02-23
公开(公告)号: CN116052754A 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 何飒;沈杰;朱海奇;黄怡仁 申请(专利权)人: 联芸科技(杭州)股份有限公司
主分类号: G11C29/50 分类号: G11C29/50
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 徐晨影
地址: 310051 浙江省杭州市滨江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请公开了一种LPDDR4/NV‑LPDDR4的上拉阻抗校准方法及装置、电子设备、可读存储介质,本申请提供的方案包括:获取LPDDR4/NV‑LPDDR4的内存/控制器的上拉驱动模块接入的电源电压、所述上拉驱动模块输出的电压输出高电平、以及所述内存/控制器的片内终结电阻的阻抗;基于所述电源电压、所述电压输出高电平和所述阻抗,确定所述上拉驱动模块的理论阻抗值;基于所述理论阻抗值和预设参考电压,校准所述上拉驱动模块的上拉阻抗。
搜索关键词: 阻抗 校准 方法 装置 电子设备
【主权项】:
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