[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310174777.9 | 申请日： | 2023-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN116017976A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 曹新满;吴耆贤;黄炜 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L23/528;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 丁鑫;刘芳 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决接触插塞的接触电阻大的技术问题，该制备方法包括在基底上形成导电层；在导电层上形成第一掩膜层，第一掩膜层具有多个第一掩膜图案；在隔离区的第一掩膜层上形成第二掩膜层，以第二掩膜层为掩膜，刻蚀阵列区的第一掩膜层，以使阵列区的第一掩膜图案形成为第二掩膜图案；利用第一掩膜图案和第二掩膜图案刻蚀导电层，以使阵列区和隔离区的导电层形成多个间隔设置的导电结构；其中，在第二方向上，阵列区的导电结构的特征尺寸小于隔离区的导电结构的特征尺寸；在隔离区的导电结构上形成第一接触插塞。本申请能够减小第一接触插塞的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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