[发明专利]一种SE结构制备方法及太阳能电池在审
| 申请号: | 202310166700.7 | 申请日: | 2023-02-13 | 
| 公开(公告)号: | CN116110979A | 公开(公告)日: | 2023-05-12 | 
| 发明(设计)人: | 马玉超;李红博;何保杨;蔡永梅;何胜;徐伟智 | 申请(专利权)人: | 正泰新能科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 | 
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 姚莹丽 | 
| 地址: | 314400 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 | 
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| 摘要: | 本申请公开了一种SE结构制备方法及太阳能电池,属于太阳能电池领域,该方法包括:在N型晶体硅的正面印刷聚合物薄膜;在聚合物薄膜上的金属接触区印刷硼浆;硼浆透过聚合物薄膜与N型晶体硅接触;通过激光辐照硼浆,将硼浆内的硼离子掺杂进入N型晶体硅内,在金属接触区形成重掺区域;对N型晶体硅的正面进行清洗,去除聚合物薄膜;对硼浆在清洗后的N型晶体硅的正面进行硼扩散,在非金属接触区形成轻掺区域,以形成SE结构。本申请通过聚合物薄膜阻挡,一方面可以防止激光时离子溅射,使重掺区域宽度窄化且可控;另一方面可以有效的减少由于激光直掺造成的损伤及复合中心,从而有效改善电池开压及接触电阻。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 se 结构 制备 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】:
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
                
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





