[发明专利]一种SE结构制备方法及太阳能电池

说明书

本申请公开了一种SE结构制备方法及太阳能电池，属于太阳能电池领域，该方法包括：在N型晶体硅的正面印刷聚合物薄膜；在聚合物薄膜上的金属接触区印刷硼浆；硼浆透过聚合物薄膜与N型晶体硅接触；通过激光辐照硼浆，将硼浆内的硼离子掺杂进入N型晶体硅内，在金属接触区形成重掺区域；对N型晶体硅的正面进行清洗，去除聚合物薄膜；对硼浆在清洗后的N型晶体硅的正面进行硼扩散，在非金属接触区形成轻掺区域，以形成SE结构。本申请通过聚合物薄膜阻挡，一方面可以防止激光时离子溅射，使重掺区域宽度窄化且可控；另一方面可以有效的减少由于激光直掺造成的损伤及复合中心，从而有效改善电池开压及接触电阻。

技术领域

本申请涉及太阳能电池领域，特别涉及一种SE结构制备方法及太阳能电池。

背景技术

选择性发射极(Selective Emitter，SE)技术是在电池电极区进行重掺杂，在发射极区进行轻掺杂。这一技术不仅可以降低扩散层少子复合速率，提高电池的短波响应和开路电压，还可以降低电池串联电阻，改善电池短路电流和填充因子，从而提高转换效率。

目前常用的SE技术是激光法：利用激光能量将磷硅玻璃(Phosphorosilicateglass，PSG)或硼硅玻璃(Borosilicate glass，BSG)中的掺杂源进行二次推进，形成重掺杂区，未激光区则形成浅掺杂区。其中，P型电池激光SE的实现方法是用激光脉冲熔融硅片表面，覆盖在发射极顶部的PSG中的磷原子进入硅片表层，固化后掺杂磷原子取代硅原子的位置，在激光熔解层形成浓度高且杂质激活率高的掺杂层。然而，N型电池激光SE为硼掺杂，一方面硼原子更容易待在BSG氧化层中导致很难掺杂进去，另一方面很多掺进去的硼原子由于与硅晶格不匹配，会在两个硅原子之间形成死层，取代不了硅原子的位置。由于掺杂浓度偏低，难以形成SE；难以降低重掺杂区域的接触电阻和金属复合，不利于提高开路电压。同时，利用激光能量进行掺杂，一方面在掺杂过程中，会产生离子溅射，导致重掺区域外延；另一方面激光直掺会造成硅片损伤及复合中心，从而影响电池开压及接触电阻。因此，如何改善电池开压及接触电阻，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种SE结构制备方法及太阳能电池，从而改善电池开压及接触电阻。

为实现上述目的，本申请提供了一种SE结构制备方法，包括：

在N型晶体硅的正面印刷聚合物薄膜；

在所述聚合物薄膜上的金属接触区印刷硼浆；所述硼浆透过所述聚合物薄膜与所述N型晶体硅接触；

通过激光辐照所述硼浆，将所述硼浆内的硼离子掺杂进入所述N型晶体硅内，在所述金属接触区形成重掺区域；

对所述N型晶体硅的正面进行清洗，去除所述聚合物薄膜；

对所述硼浆在清洗后的所述N型晶体硅的正面进行硼扩散，在非金属接触区形成轻掺区域，以形成SE结构。

可选的，所述对所述硼浆在清洗后的所述N型晶体硅的正面进行硼扩散，在非金属接触区形成轻掺区域，以形成SE结构后，还包括：

去除所述N型晶体硅的正面以外区域的硼；所述N型晶体硅的正面以外区域的硼是对所述硼浆在所述N型晶体硅的正面进行硼扩散后，扩散到所述N型晶体硅的正面以外区域的硼。

可选的，所述印刷硼浆的宽度范围为40μm至120μm，且包含两端的值。

可选的，所述掺杂的深度范围为0.8μm至2μm，且包含两端的值。

可选的，所述激光的功率范围为100W至1000W，且包含两端的值。

可选的，所述在N型晶体硅的正面印刷聚合物薄膜前，还包括：

对N型晶体硅进行制绒，形成绒面；