[发明专利]一种SE结构制备方法及太阳能电池

权利要求书

1.一种SE结构制备方法，其特征在于，包括：

在N型晶体硅的正面印刷聚合物薄膜；

在所述聚合物薄膜上的金属接触区印刷硼浆；所述硼浆透过所述聚合物薄膜与所述N型晶体硅接触；

通过激光辐照所述硼浆，将所述硼浆内的硼离子掺杂进入所述N型晶体硅内，在所述金属接触区形成重掺区域；

对所述N型晶体硅的正面进行清洗，去除所述聚合物薄膜；

对所述硼浆在清洗后的所述N型晶体硅的正面进行硼扩散，在非金属接触区形成轻掺区域，以形成SE结构。

2.根据权利要求1所述的SE结构制备方法，其特征在于，所述对所述硼浆在清洗后的所述N型晶体硅的正面进行硼扩散，在非金属接触区形成轻掺区域，以形成SE结构后，还包括：

去除所述N型晶体硅的正面以外区域的硼；所述N型晶体硅的正面以外区域的硼是对所述硼浆在所述N型晶体硅的正面进行硼扩散后，扩散到所述N型晶体硅的正面以外区域的硼。

3.根据权利要求1所述的SE结构制备方法，其特征在于，所述印刷硼浆的宽度范围为40μm至120μm，且包含两端的值。

4.根据权利要求1所述的SE结构制备方法，其特征在于，所述掺杂的深度范围为0.8μm至2μm，且包含两端的值。

5.根据权利要求1所述的SE结构制备方法，其特征在于，所述激光的功率范围为100W至1000W，且包含两端的值。

6.根据权利要求1所述的SE结构制备方法，其特征在于，所述在N型晶体硅的正面印刷聚合物薄膜前，还包括：

对N型晶体硅进行制绒，形成绒面；

相应的，所述在N型晶体硅的正面印刷聚合物薄膜，包括：

在所述N型晶体硅的正面的绒面上印刷聚合物薄膜。

7.根据权利要求1所述的SE结构制备方法，其特征在于，所述重掺区域的方阻范围为10Ω/□至90Ω/□，且包含两端的值。

8.根据权利要求1所述的SE结构制备方法，其特征在于，所述轻掺区域的方阻范围为60Ω/□至200Ω/□，且包含两端的值。

9.根据权利要求1至8任一项所述的SE结构制备方法，其特征在于，所述聚合物薄膜，包括：树脂、氧化硅和制孔剂。

10.一种太阳能电池，其特征在于，包括：通过权利要求1至9任一项所述的SE结构制备方法制备的SE结构。