[发明专利]一种双面晶圆化镀工艺在审
| 申请号： | 202310122236.1 | 申请日： | 2023-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN116092929A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 周曙华;李旻姝;蒋雪娇;汪智灵 | 申请（专利权）人： | 浙江萃锦半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;C23C18/16 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 蒯建伟 |
| 地址： | 315399 浙江省宁波市慈*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体工艺领域，具体涉及一种双面晶圆化镀工艺，具体步骤包括晶圆正面保护、晶圆背面研磨、背面研磨层的腐蚀和清洗、去除正面保护、背面种子层金属的生长和双面化学镀，本发明提出的双面同时化镀工艺，在镀覆金属层时过程不需外加电源驱动，且具有均镀能力好的优点，不管晶圆表面的结构多么复杂，镀层厚度很均匀，镀层外观良好，晶粒细小，无孔，耐蚀性好；2.且双面同时化镀的方式可以减少整个产品的制作周期，在一定程度上可以节约成本；3.并且由于同时进行同一种金属化的工艺，可以实现正反面金属的热应力平衡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 晶圆化镀 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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