[发明专利]一种双面晶圆化镀工艺在审
申请号: | 202310122236.1 | 申请日: | 2023-02-16 |
公开(公告)号: | CN116092929A | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 周曙华;李旻姝;蒋雪娇;汪智灵 | 申请(专利权)人: | 浙江萃锦半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/288 | 分类号: | H01L21/288;C23C18/16 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 蒯建伟 |
地址: | 315399 浙江省宁波市慈*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双面 晶圆化镀 工艺 | ||
1.一种双面晶圆化镀工艺,其特征在于:包括如下具体步骤,
步骤一:晶圆正面保护,采用研磨胶带和键合玻璃的方式对其进行正面保护;
步骤二:晶圆背面研磨,采用整面式减薄、带边缘支撑环的太古减薄方式或边缘阶梯结构的减薄方式对其进行研磨减薄;
步骤三:背面研磨层的腐蚀和清洗,晶圆减薄后,通过进入化学品槽内浸泡或者在旋转中流入化学品对表面的研磨层进行腐蚀并清洗,去除表面的损伤层和污染物;
步骤四:去除正面保护,其中对于正面贴有研磨胶带的减薄片,通过高温或UV照射的方式,降低胶带粘性后,可以通过机械或人工的方法,直接撕掉表面的正面保护膜,对于正面使用键合玻璃方式的减薄片,通过激光或者UV以及高温方式使得键合胶失效后,揭开玻璃并去除键合胶;
步骤五:背面种子层金属的生长,在背面沉积用于化镀的初始金属,该金属的最外层须与正面焊盘的金属元素一致;
步骤六:双面化学镀, 在背面种子层金属完成后,将晶圆放进耐化学腐蚀的晶舟,进入化学镀设备,分别经过表面除油和化学酸洗工艺后,去除表面的沾污和氧化层后,进入化学镀的工艺槽体内,进行双面同时化学镀的工艺。
2.根据权利要求1所述的一种双面晶圆化镀工艺,其特征在于:所述步骤一中,采用研磨胶带进行正面保护时,在晶圆的正面使用机械滚轮的方式均匀地粘贴一张减薄胶带,用于保护晶圆表面的焊盘在后续的减薄等工艺中不被污染。
3.根据权利要求1所述的一种双面晶圆化镀工艺,其特征在于:所述步骤一中,采用键合玻璃进行正面保护时,在晶圆的表面涂敷一层液态键合胶,再贴上一片玻璃,最后通过紫外或者高温烘烤的方式使得键合胶固化,使得玻璃粘合在晶圆表面,用于保护晶圆表面的焊盘在后续的减薄等工艺中不被污染。
4.根据权利要求1所述的一种双面晶圆化镀工艺,其特征在于:所述步骤二中,采用整面式减薄方式时,在晶圆表面保护好后,将晶圆放到自动减薄设备内,对晶圆的背面整面式进行机械研磨减薄,最终的减薄厚度达到工艺要求。
5.根据权利要求1所述的一种双面晶圆化镀工艺,其特征在于:所述步骤二中,当晶圆厚度低于100um时,此时硅晶圆的机械强度很弱,在正面没有键合玻璃支撑时,则采用太古减薄方式,在晶圆的背面边缘留一圈支撑的硅衬底作为支撑。
6.根据权利要求1所述的一种双面晶圆化镀工艺,其特征在于:所述步骤五中,在金属沉积时,采用电子枪加热金属使其蒸发的方式,对清洗完的表面进行金属的蒸镀。
7.根据权利要求6所述的一种双面晶圆化镀工艺,其特征在于:蒸镀的金属采用单纯的一层Al或者是Ti和Cu两层金属或者Ti/Ni/Al三层金属。
8.根据权利要求1所述的一种双面晶圆化镀工艺,其特征在于:所述步骤五中,金属沉积时,使用氩原子轰击金属表面使其溅射的方式,分别在不同的腔体内往清洗完的晶圆表面溅射Ti和Cu,或者Ti、TiN和Al。
9.根据权利要求1所述的一种双面晶圆化镀工艺,其特征在于:所述步骤六中,在进行双面同时化学镀的工艺时,在焊盘的表面和背面金属上继续沉积后续封装工艺所需要的镍钯金金属或者镍金金属。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造