[发明专利]一种N型密栅结构太阳电池及制备方法有效
| 申请号： | 202310055776.2 | 申请日： | 2023-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN116093173B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李静;郝十峰;余永健 | 申请（专利权）人： | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京东方灵盾知识产权代理有限公司 11506 | 代理人： | 苏向银 |
| 地址： | 224000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型密栅结构太阳电池及制备方法，属于太阳电池技术领域。该太阳电池由正面银栅电极、正面减反射膜、P+型发射结、P型硅、P型重掺杂深发射极P++、N型硅、隧穿氧化层、N+型非晶硅、背面减反射膜、背面银栅电极构成；本发明是将电池片正面先做深结然后通过高温内吸杂的方式将做好的深结制作成浅结，背面通过降低银栅线之间的间距，达到更快的收集自由电子的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型密栅 结构 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
