[发明专利]一种N型密栅结构太阳电池及制备方法

说明书

本发明公开了一种N型密栅结构太阳电池及制备方法，属于太阳电池技术领域。该太阳电池由正面银栅电极、正面减反射膜、P+型发射结、P型硅、P型重掺杂深发射极P++、N型硅、隧穿氧化层、N+型非晶硅、背面减反射膜、背面银栅电极构成；本发明是将电池片正面先做深结然后通过高温内吸杂的方式将做好的深结制作成浅结，背面通过降低银栅线之间的间距，达到更快的收集自由电子的目的。

技术领域

本发明属于太阳电池技术领域，具体涉及一种N型密栅结构太阳电池及制备方法。

背景技术

随着石油等不可再生资源的日益枯竭，太阳能等清洁能源、无污染的能源受到越来越大的重视，现有技术中的太阳电池，经过若干年的发展，已经越来越多的被应用于各个领域中，其优势也逐渐凸显出来。

目前，在制备太阳电池的正面电极和背面电极时，背面银栅线间距1.46mm以上，银栅线宽度40um以上，高度8um以上。正面银栅线间距1.37mm以上，银栅线宽度30um以上，高度8-12um。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明要解决的一个技术问题在于提供一种N型密栅结构太阳电池及制备方法，将电池片正面先做深结然后通过高温内吸杂的方式将做好的深结制作成浅结，背面通过降低银栅线之间的间距，达到更快的收集自由电子的目的。

为了解决上述问题，本发明所采用的技术方案如下：

一种N型密栅结构太阳电池，由正面银栅电极、正面减反射膜、P+型发射结、P型晶体硅、P型重掺杂深发射极P++、N型晶体硅、隧穿氧化层、N型非晶体硅、背面减反射膜、背面银栅电极构成；N型晶体硅的正面由内向外依次设有P型重掺杂深发射极P++、P型晶体硅、P+型发射结、正面减反射膜；N型晶体硅的背面由内向外依次设有隧穿氧化层、N型非晶体硅和背面减反射膜；

晶体硅的背面都均匀的分布有背面银栅电极；晶体硅的正面都均匀的分布有正面银栅电极；在对应于正面银栅电极下方的N型晶体硅中有以液态源硼扩散方式制成的P型重掺杂深发射极P++，该重掺杂深发射极P++的结深为0.5-2um；

晶体硅的背面银栅电极相邻栅线间距为0.2-1.46mm，且中间相邻两根栅线留有0.8-1.6mm的切割槽，且栅线宽度大于等于5um，高度为1-7um；晶体硅的正面银栅电极相邻栅线间距为0.8-1.2mm，且中间相邻两根栅线留有0.8-1.6mm的切割槽，且栅线宽度大于等于5um，高度为7-11um；

晶体硅电池的背面栅线的遮光面积范围是0.78％-35.84％，所述N型密栅结构太阳电池，正面减反射膜的厚度为60-90nm，背面减反射膜的厚度为70-100nm。

所述N型密栅结构太阳电池，N型晶体硅厚度为110-150um。

所述N型密栅结构太阳电池，N型晶体硅为单晶硅片或多晶硅片。

所述晶体硅的背面栅线宽度范围为20-33um，所述晶体硅的正面栅线宽度范围为10-23um。

上述N型密栅结构太阳电池的制备方法，包括如下步骤：

A.采用等离子体增强化学气相沉积法在N型晶体硅的正面上沉积正面减反射膜；

B.采用等离子体增强化学气相沉积法在N型晶体硅的背面上沉积背面减反射膜；

C.采用等离子体增强化学气相沉积法在N型晶体硅的背面上沉积隧穿氧化层；

D.采用等离子体增强化学气相沉积法在N型晶体硅的正面上沉积P+型发射结；

E.采用等离子体增强化学气相沉积法在N型晶体硅的背面上沉积N型非晶体硅；

F.采用三氯化硼液态源扩散方法在N型晶体硅上制作P型深结发射结；