[发明专利]一种N型密栅结构太阳电池及制备方法

权利要求书

1.一种N型密栅结构太阳电池，其特征在于，由正面银栅电极(2)、正面减反射膜(3)、P+型发射结(4)、P型晶体硅(5)、P型重掺杂深发射极P++(6)、N型晶体硅(7)、隧穿氧化层(8)、N型非晶体硅(9)、背面减反射膜(10)、背面银栅电极(11)构成；N型晶体硅(7)的正面由内向外依次设有P型重掺杂深发射极P++(6)、P型晶体硅(5)、P+型发射结(4)、正面减反射膜(3)；N型晶体硅(7)的背面由内向外依次设有隧穿氧化层(8)、N型非晶体硅(9)和背面减反射膜(10)；

晶体硅的背面都均匀的分布有背面银栅电极(11)；晶体硅的正面都均匀的分布有正面银栅电极(2)；在对应于正面银栅电极(2)下方的N型晶体硅中有以液态源硼扩散方式制成的P型重掺杂深发射极P++(6)，该重掺杂深发射极P++(6)的结深为0.5-2um；

晶体硅的背面银栅电极相邻栅线间距为0.2-1.46mm，且中间相邻两根栅线留有0.8-1.6mm的切割槽，且栅线宽度大于等于5um，高度为1-7um；晶体硅的正面银栅电极相邻栅线间距为0.8-1.2mm，且中间相邻两根栅线留有0.8-1.6mm的切割槽，且栅线宽度大于等于5um，高度为7-11um；

晶体硅电池的背面栅线的遮光面积范围是0.78％-35.84％。

2.根据权利要求1所述N型密栅结构太阳电池，其特征在于，正面减反射膜(3)的厚度为60-90nm，背面减反射膜(10)的厚度为70-100nm。

3.根据权利要求1所述N型密栅结构太阳电池，其特征在于，N型晶体硅厚度为110-150um。

4.根据权利要求1所述N型密栅结构太阳电池，其特征在于，N型晶体硅为单晶硅片或多晶硅片。

5.根据权利要求1所述N型密栅结构太阳电池，其特征在于，所述晶体硅的背面银栅电极的栅线宽度范围为20-33um，所述晶体硅的正面银栅电极的栅线宽度范围为10-23um。

6.权利要求1-5任一所述N型密栅结构太阳电池的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

A.采用等离子体增强化学气相沉积法在N型晶体硅的正面上沉积正面减反射膜(3)；

B.采用等离子体增强化学气相沉积法在N型晶体硅的背面上沉积背面减反射膜(10)；

C.采用等离子体增强化学气相沉积法在N型晶体硅的背面上沉积隧穿氧化层(8)；

D.采用等离子体增强化学气相沉积法在N型晶体硅的正面上沉积P+型发射结；

E.采用等离子体增强化学气相沉积法在N型晶体硅的背面上沉积N型非晶体硅(9)；

F.采用三氯化硼液态源扩散方法在N型晶体硅上制作P型深结发射结；

G.用激光的方法在步骤F所形成的P型深结发射结上根据预先所设计的栅线位置开槽，使每个槽口对应于一个银栅电极的分布位置；

H.采用高温氧化吸杂的方式对步骤F和步骤G形成的P型深结发射结和栅线位置的开槽进行吸杂，从而形成P型晶体硅(5)和P型重掺杂深发射极P++(6)；

I.用丝网印刷的方式并在网带炉中热退火形成正面银栅电极(2)和背面银栅电极(11)。

7.根据权利要求6所述的N型密栅结构太阳电池的制备方法，其特征在于，在步骤D中，P+型发射结厚度为5-15nm。

8.根据权利要求6所述的N型密栅结构太阳电池的制备方法，其特征在于，在步骤E中，背面上沉积N型非晶体硅厚度为10-50nm。

9.根据权利要求6所述的N型密栅结构太阳电池的制备方法，其特征在于，在步骤C中，隧穿氧化层厚度为5-20nm。