[发明专利]一种二维IGZO纳米片材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202310055394.X | 申请日： | 2023-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN116022840A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 肖涵;孙俊峰;马燕;陈韦宁 | 申请（专利权）人： | 宁波圆芯电子有限公司;睿芯（大连）股份有限公司 |
| 主分类号： | C01G15/00 | 分类号： | C01G15/00 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 周媛媛;李馨 |
| 地址： | 315000 浙江省宁波市鄞*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维片层状IGZO半导体材料及其制备方法。具体制备方法为采用溶胶凝胶法将铟盐，镓盐，锌盐分别在水中搅拌溶解，混合均匀后，加入碱性添加剂使三种盐产生共沉淀，添加搅拌稳定后的pH为4～9。在烘箱中热处理进行反应获得IGZO前驱体，洗涤干燥获得前驱体粉末，将粉末在800‑1300℃下高温烧结成IGZO纳米片。本发明获得的IGZO纳米片直径为100nm～5μm，片层厚度100nm，纳米片可分散于适合溶剂，如二甲基亚砜，N‑甲基吡咯烷酮，乙二醇等溶剂中，经加工后可用于印刷/喷墨打印用n型半导体制备或薄膜半导体功能模块的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 igzo 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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