[发明专利]一种二维IGZO纳米片材料及其制备方法

权利要求书

1.一种二维片状IGZO纳米片，其特征在于，所述IGZO纳米片为二维结构；所述纳米片直径为100nm～5μm，厚度为＜100nm。

2.根据权利要求1所述的IGZO纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将铟盐，镓盐，锌盐分别加入溶剂中，形成金属盐溶液；

(2)将(1)中所述的三种金属盐溶液混合均匀后，向其中添加碱性添加剂；

(3)将步骤(2)得到的溶液放入烘箱中进行热处理，得到IGZO前驱体溶液，所述热处理温度为60-130℃；

(4)洗涤、干燥，得到IGZO前驱体粉末；

(5)将步骤(4)得到的IGZO前驱体粉末进行烧结，得到IGZO纳米片，所述烧结温度为800-1300℃。

3.根据权利要求2所述的IGZO纳米片的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述溶剂为水；所述铟盐为水溶性铟盐；所述镓盐为水溶性镓盐；所述锌盐为水溶性锌盐。

4.根据权利要求2或3任意一项所述的IGZO纳米片的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述铟盐包括但不限于硝酸铟、氯化铟、硫酸铟、醋酸铟中的一种或几种，溶液浓度为0.005～0.5M。

5.根据权利要求2或3任意一项所述的IGZO纳米片的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述镓盐包括但不限于硝酸镓、氯化镓、硫酸镓、醋酸镓中的一种或几种，溶液浓度为0.005～0.5M。

6.根据权利要求2或3任意一项所述的IGZO纳米片的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述锌盐包括但不限于硝酸锌、氯化锌、硫酸锌、醋酸锌中的一种或几种，溶液浓度为0.005～0.5M。

7.根据权利要求2所述的IGZO纳米片的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述碱性添加剂包括强碱、弱碱或碱性有机物中的一种或几种的混合；所述加入碱性添加剂后溶液pH为4～9。

8.根据权利要求7所述的IGZO纳米片的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述强碱为氢氧化钠或氢氧化钾；所述弱碱为氨水；所述碱性有机物为乙醇胺或乙二胺。

9.根据权利要求2所述的IGZO纳米片的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述热处理时间为大于等于30min；步骤(4)中，所述干燥为鼓风干燥、冷冻干燥、喷雾干燥中的一种；步骤(5)中，所述烧结时间为大于等于30min。

10.根据权利要求1所述的IGZO纳米片的应用，其特征在于，所述IGZO纳米片可分散于溶剂中，经加工后可用于印刷/喷墨打印用n型半导体制备或薄膜半导体功能模块的生产。