[发明专利]衬底处理条件的设定方法、衬底处理方法、衬底处理条件的设定系统、及衬底处理系统在审
| 申请号： | 202310046730.4 | 申请日： | 2023-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN116631895A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 根来世;筱原健介;德山真裕 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种衬底处理条件的设定方法、衬底处理方法、衬底处理条件的设定系统、及衬底处理系统。衬底处理条件的设定方法包含：步骤(S24)，对基于学习用处理条件、及以学习用处理条件处理衬底(W)时的处理结果进行机械学习后的已学习模型(M)，输入多个处理条件，取得多个推定处理结果；步骤(S26)，使显示部(105)显示基于多个推定处理结果的图像；及步骤(S27及S28)，基于显示于显示部(105)的图像，将与多个推定处理结果中的1个推定处理结果对应的1个处理条件，设定为处理衬底(W)时的执行处理条件。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 条件 设定 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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