[发明专利]衬底处理条件的设定方法、衬底处理方法、衬底处理条件的设定系统、及衬底处理系统在审
| 申请号: | 202310046730.4 | 申请日: | 2023-01-13 |
| 公开(公告)号: | CN116631895A | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
| 发明(设计)人: | 根来世;筱原健介;德山真裕 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 陈甜甜 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬底 处理 条件 设定 方法 系统 | ||
1.一种衬底处理条件的设定方法,包含以下步骤:
对基于学习用处理条件、及以所述学习用处理条件处理衬底时的处理结果进行机械学习后的已学习模型,输入多个处理条件,取得多个推定处理结果;
使显示部显示基于所述多个推定处理结果的图像;及
基于显示于所述显示部的所述图像,将与所述多个推定处理结果中的1个推定处理结果对应的1个处理条件,设定为处理衬底时的执行处理条件。
2.根据权利要求1所述的衬底处理条件的设定方法,还包含以下步骤:
在所述取得的步骤之前,设定包含特定处理条件的输入条件范围;且
在所述取得的步骤中,对所述已学习模型,输入所述输入条件范围中包含的多个处理条件,取得所述多个推定处理结果。
3.根据权利要求2所述的衬底处理条件的设定方法,其中所述处理条件各自至少包含:
表示供给到衬底的处理液的浓度的浓度条件、表示供给到所述衬底的所述处理液的温度的温度条件、表示供给到所述衬底的所述处理液的供给量的供给量条件、表示所述衬底的转速的转速条件、及表示对所述衬底供给所述处理液的喷嘴的扫描速度的速度条件。
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的衬底处理条件的设定方法,其中在设定为所述执行处理条件的步骤之前,还包含以下步骤:
基于显示于所述显示部的所述图像,由用户选择所述1个处理条件;且
在设定为所述执行处理条件的步骤中,将选择的所述1个处理条件设定为所述执行处理条件。
5.根据权利要求4所述的衬底处理条件的设定方法,其中所述图像包含分布图;
所述处理条件各自具有多个参数;
使用由用户指定的2种参数、与所述推定处理结果以3维显示所述分布图。
6.根据权利要求5所述的衬底处理条件的设定方法,其中所述显示部显示能由用户选择作为所述分布图的变量的所述参数的种类的选择部。
7.根据权利要求5所述的衬底处理条件的设定方法,其中所述显示部在所述分布图上显示用户能选择的多个标记;
在所述选择的步骤中,用户通过选择所述多个标记中的1个标记,而选择所述1个处理条件。
8.根据权利要求7所述的衬底处理条件的设定方法,其中所述多个标记包含:
第1标记,显示于所述分布图中包含与目标处理结果对应的位置的特定范围内;及
第2标记,显示于所述分布图中所述特定范围外,且与所述第1标记不同。
9.一种衬底处理方法,包含以下步骤:
依据权利要求1到权利要求8中任一权利要求所述的衬底处理条件的设定方法,将所述1个处理条件设定为所述执行处理条件;及
以所述1个处理条件处理衬底。
10.一种衬底处理条件的设定系统,具备:
存储部,存储基于学习用处理条件、及以所述学习用处理条件处理衬底时的处理结果进行机械学习后的已学习模型;
显示部;及
控制部;且
所述控制部
对所述已学习模型输入多个处理条件,取得多个推定处理结果;
使所述显示部显示基于所述多个推定处理结果的图像;
将与所述多个推定处理结果中的1个推定处理结果对应的1个处理条件,设定为处理衬底时的执行处理条件。
11.根据权利要求10所述的衬底处理条件的设定系统,其中所述控制部对所述已学习模型,输入包含特定处理条件的输入条件范围中包含的多个处理条件,取得所述多个推定处理结果。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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