[发明专利]GCT芯片阴极梳条修理工艺方法在审

专利信息
申请号: 202310041049.0 申请日: 2023-01-11
公开(公告)号: CN115966465A 公开(公告)日: 2023-04-14
发明(设计)人: 高山城;赖贵森;谢永泉;刘玲 申请(专利权)人: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
主分类号: H01L21/332 分类号: H01L21/332;H01L21/285;H01L21/3213;H01L21/56
代理公司: 西安文盛专利代理有限公司 61100 代理人: 彭冬英
地址: 710077 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及GCT芯片梳条修理工艺方法,先在梳条上蒸一层铝层A,提高梳条与门极区的纵向高度,增加纵向阴极梳条与门极区隔离间隔。然后在梳条和门极区同时再蒸一层铝层B,提高了门极区和梳条图形加工质量,有利于提高芯片的性能;给芯片的上表面覆盖一层光敏聚酰亚铵绝缘保护材料层;然后针对极个别不合格梳条,除了铲除铝层外,还增加了研磨该梳条的工艺方法,使该梳条高度与门极区电极铝层相平;之后在不合格梳条上涂绝缘保护材料,绝缘该梳条,使之不与阴极钼片接触,屏蔽该失效梳条带来的负面影响。使用该工艺方法可以挽救大量芯片,使成品率显著提高。实践还证明,芯片性能未受影响情况下,使用本发明成品率至少提高30%。
搜索关键词: gct 芯片 阴极 修理 工艺 方法
【主权项】:
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