[发明专利]GCT芯片阴极梳条修理工艺方法

权利要求书

1.一种GCT芯片阴极梳条修理工艺方法，其特征在于：掺杂完Si芯片为基础，依次经过下列步骤：

(1)首先给梳条(1)蒸一层铝层A(5)，目的是提高梳条(1)与门极区(2)之间的纵向高度；

(2)同时给门极区(2)和梳条(1)再蒸一层铝层B(6)，经光刻刻蚀技术将门极区(2)铝层和阴极梳条(1)铝层间环形PN结(3)刻蚀出来，形成门极区(2)铝层和阴极梳条(1)铝层隔离间隔，并形成门极区电极铝层B(6)和阴极梳条(1)电极铝层A(5)+铝层B(6)；

(3)给芯片的上表面覆盖一层光敏聚酰亚铵绝缘保护材料层(4)，经光刻技术，刻蚀出集成门极(G)电极、阴极梳条(1)电极，将阴极梳条(1)铝层和集成门极铝层(G)裸露，其余部分则被光敏聚酰亚铵绝缘保护材料层(4)覆盖，并使光敏聚酰亚铵绝缘保护材料层(4)保护门阴极环形PN结(3)和门极区铝层B(6)，一方面保护门阴极环形PN结(3)表面绝缘于外界，另一方面使门极区铝层B(6)与阴极梳条(1)铝层A(5)+铝层B(6)纵向上除高度差悬空而隔离外，还增加了一层绝缘保护材料层的隔离，更进一步增强了纵向隔离效果；

(4)打点测试每一个梳条(1)的阻断和导通特性，并标出不合格梳条(8)，给不合格梳条(8)去铝层A(5)和铝层B(6)，研磨不合格梳条(8)的硅高度,使该不合格梳条(8)的高度与蒸铝前门极区高度相平；

(5)在去掉铝层和研磨掉硅的不合格梳条(8)上涂光敏聚酰亚铵绝缘保护材料层(4)；

至此，完成了GCT芯片阴极梳条修理工艺。

2.如权利要求1所述的GCT芯片阴极梳条修理工艺方法，其特征在于：梳条(1)上的铝层A(5)电阻率为223±5Ω/m，热导率为236±6W/mK，材料为99.999％的AL元素,其厚度为20μm±2μm。

3.如权利要求1所述的GCT芯片阴极梳条修理工艺方法，其特征在于：门极区(2)与梳条(1)上的铝层B(6)电阻率为223±5Ω/m，热导率为236±6W/mK，材料为99.999％的AL元素,其厚度为7μm±2μm。

4.如权利要求1所述的GCT芯片阴极梳条修理工艺方法，其特征在于：以PN结(3)为中心线，两侧各去掉30um±1um铝膜宽度，形成门极区电极铝层B(6)和阴极梳条(1)电极的隔离间距，隔离的间距为60±2um。

5.如权利要求1所述的GCT芯片阴极梳条修理工艺方法，其特征在于：光敏聚酰亚铵绝缘保护材料层(4)厚度为7±2μm。

6.如权利要求1所述的GCT芯片阴极梳条修理工艺方法，其特征在于：研磨不合格梳条(8)的硅高度为12±2um。

7.如权利要求1所述的GCT芯片阴极梳条修理工艺方法，其特征在于：涂抹光敏聚酰亚铵绝缘保护材料层(4)，涂抹梳条尺寸大小为，两端为两个直径为230um±2um的半圆，中间为宽为230um±2um、长为1.6mm±1mm的矩形，涂抹的高度不超过39um±2um，将来封装时，不与阴极钼片接触。