[发明专利]一种具有高稳定性的MOSFET-TFET混合型14T-SRAM单元电路、模块在审
| 申请号： | 202310038973.3 | 申请日： | 2023-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN116030861A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 吴秀龙;杜晨鸿;强斌;刘立;卢文娟;彭春雨;蔺智挺 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/419 |
| 代理公司： | 合肥市泽信专利代理事务所(普通合伙) 34144 | 代理人： | 江楠竹 |
| 地址： | 230601 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种具有高稳定性的MOSFET‑TFET混合型14T‑SRAM单元电路，和使用了该种14T‑SRAM单元电路封装而成的模块。本发明采用MOSFET晶体管作为SRAM的传输管，消除了当TFET晶体管用作SRAM单元的传输晶体管时出现正偏p‑i‑n电流的问题；采用两个施密特型反相器构成锁存结构，利用MOSFET晶体管N9、N10对每个反相器的反馈作用，可改善TFET器件的延迟输出饱和特性，提高SRAM单元的稳定性；采用PTFET晶体管P1、P2作为写操作时的上拉电路结构，可降低SRAM单元的写功耗；采用NTFET晶体管N5、N6构成读电路部分，可提高SRAM单元的读能力和读速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 稳定性 mosfet tfet 混合 14 sram 单元 电路 模块 | ||
【主权项】：
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