[发明专利]一种提高阈值电压的增强型p沟道场效应晶体管在审
| 申请号： | 202310033025.0 | 申请日： | 2023-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN116344581A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 王科;周辉;邵鹏飞;陈敦军;张荣;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/778 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种提高阈值电压的增强型p沟道场效应晶体管，该结构包括位于最底部的衬底，外延生长的GaN层、AlGaN层、GaN层、p‑GaN层、p++GaN层、经过刻蚀后选区外延生长的AlN或者AlGaN极化栅(Al |
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| 搜索关键词： | 一种 提高 阈值 电压 增强 沟道 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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