[发明专利]一种提高阈值电压的增强型p沟道场效应晶体管在审
| 申请号： | 202310033025.0 | 申请日： | 2023-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN116344581A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 王科;周辉;邵鹏飞;陈敦军;张荣;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/778 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 阈值 电压 增强 沟道 场效应 晶体管 | ||
1.一种提高阈值电压的增强型p沟道场效应晶体管，其特征在于其结构包括：一衬底；
一生长于衬底上的GaN层；
一生长于GaN层上的AlGaN势垒层；
一生长于AlGaN势垒层上的GaN沟道层；
一生长于GaN沟道层上的p-GaN层；
一生长于p-GaN层上的p++GaN层；
刻蚀栅区的p++GaN层及p-GaN层至露出GaN沟道层，在栅区的GaN沟道层上外延生长AlxGa1-xN极化栅；
栅电极设置在AlxGa1-xN极化栅上；
源电极、漏电极设置在p++GaN层上。
2.根据权利要求1所述的提高阈值电压的增强型p沟道场效应晶体管，其特征在于：还包括钝化层，所述钝化层覆盖源电极、漏电极以外的p++GaN层，所述钝化层为SiO2或SiNx。
3.根据权利要求1或2所述的提高阈值电压的增强型p沟道场效应晶体管，其特征在于：还包括介质层，所述介质层覆盖栅区侧壁，所述介质层为Al2O3。
4.根据权利要求3所述的提高阈值电压的增强型p沟道场效应晶体管，其特征在于：所述AlGaN势垒层的厚度为10-40nm，Al组分为0.15-0.4。
5.根据权利要求3所述的提高阈值电压的增强型p沟道场效应晶体管，其特征在于：所述AlxGa1-xN极化栅的厚度为2nm-20nm，x取值范围为0.2～1。
6.一种提高阈值电压的增强型p沟道场效应晶体管，其特征在于其结构包括：一衬底；
一生长于衬底上的GaN层；
一生长于GaN层上的AlGaN势垒层；
一生长于AlGaN势垒层上的GaN沟道层；
一生长于GaN沟道层上的AlxGa1-xN极化栅；
一生长于AlxGa1-xN极化栅上的p-GaN层；
一生长于p-GaN层上的p++GaN层；
刻蚀栅区的p++GaN层及p-GaN层至露出AlxGa1-xN层；
栅电极设置在AlxGa1-xN层上；
源电极、漏电极设置在p++GaN层上。
7.根据权利要求6所述的提高阈值电压的增强型p沟道场效应晶体管，其特征在于：还包括钝化层，所述钝化层覆盖源电极、漏电极以外的p++GaN层，所述钝化层为SiO2或SiNx。
8.根据权利要求6或7所述的提高阈值电压的增强型p沟道场效应晶体管，其特征在于：还包括介质层，所述介质层覆盖栅区侧壁，所述介质层为Al2O3。
9.根据权利要求8所述的提高阈值电压的增强型p沟道场效应晶体管，其特征在于：所述AlGaN势垒层的厚度为10-40nm，Al组分为0.15-0.4。
10.根据权利要求8所述的提高阈值电压的增强型p沟道场效应晶体管，其特征在于：所述AlxGa1-xN层的厚度为1nm-10nm，x取值范围为0.2～1。
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