[发明专利]晶片的抛光方法及晶片在审
| 申请号： | 202310019781.8 | 申请日： | 2023-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN116117681A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 梁成华 | 申请（专利权）人： | 蓝思科技（长沙）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/08 | 分类号： | B24B37/08;B24B37/04;B24B7/22 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 蔡良伟 |
| 地址： | 410199 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种晶片的抛光方法及晶片，该晶片的抛光方法包括：对晶片的双面进行第一次研磨，获得一级晶片；对一级晶片进行双面抛光，获得二级晶片，二级晶片的粗糙度为第一目标粗糙度；将二级晶片的第一面覆压至底座上，以在第一面和底座之间形成光圈；对贴合在底座上的二级晶片的第二面进行第二次研磨，以得到目标晶片，目标晶片的第二面的粗糙度为第二目标粗糙度，第二目标粗糙度大于第一目标粗糙度。本公开技术方案有效解决了传统单面抛光晶片平整度低、品质差的技术问题，大幅提高了单面抛光晶片的平整度和品质；且整个工艺操作简单，提高了单面抛光晶片的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
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