[发明专利]晶片的抛光方法及晶片

权利要求书

1.一种晶片的抛光方法，其特征在于，包括：

对晶片的双面进行第一次研磨，获得一级晶片；

对所述一级晶片进行双面抛光，获得二级晶片，所述二级晶片的粗糙度为第一目标粗糙度；

将所述二级晶片的第一面覆压至底座上，以在所述第一面和所述底座之间形成光圈；

对贴合在所述底座上的所述二级晶片的第二面进行第二次研磨，以得到目标晶片，所述目标晶片的第二面的粗糙度为第二目标粗糙度，所述第二目标粗糙度大于所述第一目标粗糙度。

2.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述底座具有用于与所述二级晶片贴合的贴合面，所述贴合面具有第三粗糙度，所述第三粗糙度小于或者等于所述第一目标粗糙度，且所述贴合面的平整度小于或者等于所述二级晶片的平整度。

3.根据权利要求2所述的抛光方法，其特征在于，所述底座的材质为蓝宝石或陶瓷。

4.根据权利要求1至3任一项所述的抛光方法，其特征在于，所述将所述二级晶片的第一面覆压至底座上，以在所述第一面和所述底座之间形成光圈的步骤之后还包括：在所述二级晶片和所述底座贴合的边缘处连续涂覆胶水。

5.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述将所述二级晶片的第一面覆压至底座上，以在所述第一面和所述底座之间形成光圈包括：采用气压头对所述二级晶片施压，以使所述二级晶片与所述底座贴合紧密。

6.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述对贴合在所述底座上的所述二级晶片的第二面进行第二次研磨，以得到目标晶片的步骤包括：使用单面研磨机，所述单面研磨机包括相对设置的上抛头和下铸铁盘，将所述底座放置于所述下铸铁盘中，所述二级晶片的第二面朝向所述上抛头，然后通过所述单面研磨机对所述二级晶片的第二面进行第二次研磨，得到目标晶片。

7.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述对所述一级晶片进行双面抛光，获得二级晶片的步骤包括：

使用第一双面研磨机，所述第一双面研磨机包括相对设置的上铜盘和下铜盘，在所述下铜盘内加入第一抛光液，然后通过第一双面研磨机对所述一级晶片进行粗抛光，获得粗抛晶片；

使用第二双面研磨机，所述第二双面研磨机包括相对设置的上磨皮盘和下磨皮盘，在所述下磨皮盘内加入第二抛光液，然后通过第二双面研磨机对所述粗抛晶片进行精抛光，获得二级晶片。

8.根据权利要求1所述的晶片的抛光方法，其特征在于，所述对晶片的双面进行第一次研磨，获得一级晶片的步骤包括：使用第三双面研磨机，所述第三双面研磨机包括相对设置的上铸铁盘和下铸铁盘，在所述下铸铁盘内加入碳化硼研磨液，然后通过所述第三双面研磨机对所述晶片进行第一次研磨，获得一级晶片。

9.根据权利要求1至3任一项所述的晶片的抛光方法，其特征在于，所述一级晶片的粗糙度为700nm～1000nm，平整度小于或者等于15μm；和/或，

所述第一目标粗糙度小于或者等于0.2nm，二级晶片的平整度小于5μm；和/或，

所述底座的粗糙度小于10nm，平整度小于5μm；和/或，

所述第二目标粗糙度为700nm～1000nm，目标晶片的平整度小于2μm。

10.一种晶片，其特征在于，采用如权利要求1至9任一项所述的晶片的抛光方法制备得到。