[发明专利]用于P-N双模态功率器件的集成高侧驱动器在审
| 申请号： | 202310012105.8 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN115882840A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | Y·张;S·P·彭德哈卡;P·L·霍沃;S·吉姆班科;F·马里诺;S·斯瑞达 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/12 | 分类号： | H03K17/12;H01L29/78;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本申请题为“用于P‑N双模态功率器件的集成高侧驱动器”。在所描述的示例中，一种集成电路芯片(102)包括双模态功率N‑P‑横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件(104)和电平移位器(108)，该双模态功率N‑P‑横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件(104)具有经耦合以接收输入信号(IN)的N‑栅极(G |
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| 搜索关键词： | 用于 双模 功率 器件 集成 驱动器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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