[发明专利]用于P-N双模态功率器件的集成高侧驱动器

权利要求书

1.一种集成电路芯片即IC芯片，其包括：

双模态功率N-P横向扩散金属氧化物半导体器件即双模态功率N-P-LDMOS器件，其具有NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述N-P-LDMOS器件的N-栅极耦合到输入节点，所述N-P-LDMOS的漏极节点耦合到所述NMOS晶体管的漏极和所述PMOS晶体管的源极节点，并且所述N-P-LDMOS器件的源极耦合到所述NMOS晶体管的源极和所述PMOS晶体管的漏极；以及

电平移位器，其耦合到所述输入节点和所述N-P-LDMOS器件的P-栅极驱动器。

2.根据权利要求1所述的IC芯片，其中所述P-栅极驱动器被集成在所述N-P-LDMOS器件的漏极接合焊盘区中。

3.根据权利要求2所述的IC芯片，其中所述电平移位器包括N-LDMOS晶体管，所述N-LDMOS晶体管具有耦合到所述输入节点的栅极。

4.根据权利要求3所述的IC芯片，其中所述P-栅极驱动器包括电阻器和二极管，所述电阻器耦合在所述N-LDMOS晶体管的漏极和所述N-P-LDMOS器件的漏极之间，所述二极管耦合在所述电阻器的第一端子和第二端子之间。

5.根据权利要求4所述的IC芯片，其中所述N-P-LDMOS器件的P-栅极耦合到所述电阻器和所述N-LDMOS晶体管之间的点。

6.根据权利要求5所述的IC芯片，其中电流源耦合在所述N-LDMOS晶体管的源极和电压V_SS之间。

7.根据权利要求6所述的IC芯片，其中所述电流源在芯片外。

8.根据权利要求6所述的IC芯片，其中所述电压V_SS为负电压。

9.根据权利要求5所述的IC芯片，其中所述N-LDMOS晶体管被嵌入在所述双模态功率N-P-LDMOS器件中，并且通过给定电压与所述双模态功率N-P-LDMOS器件隔离。

10.根据权利要求9所述的IC芯片，其中所述给定电压为20伏特。

11.一种集成电路即IC，其包括：

芯片，所述芯片具有：

N-栅极端子；

漏极端子；

源极端子；

双模态功率N-P横向扩散金属氧化物半导体器件即双模态功率N-P-LDMOS器件，其耦合在所述漏极端子和所述源极端子之间，其中所述N-P-LDMOS器件的N-栅极耦合到所述芯片的N-栅极端子；

电平移位器；和

P-栅极驱动器，其耦合在所述电平移位器和所述N-P-LDMOS器件的P-栅极之间；以及

N-栅极驱动器，其耦合在输入节点和所述N-栅极端子之间，其中所述输入节点还耦合到所述电平移位器。

12.根据权利要求11所述的IC，其中所述N-P-LDMOS器件包括N-LDMOS晶体管和P-LDMOS晶体管，其中所述芯片的所述漏极端子耦合到所述N-LDMOS晶体管的漏极和所述P-LDMOS的源极，并且所述芯片的所述源极端子耦合到所述N-LDMOS晶体管的源极和所述P-LDMOS晶体管的漏极。

13.根据权利要求11所述的IC，其中所述P-栅极驱动器被集成在所述N-P-LDMOS器件的漏极接合焊盘区中。

14.根据权利要求11所述的IC，其中所述电平移位器包括N-LDMOS晶体管，所述N-LDMOS晶体管具有耦合到所述输入节点的栅极。