[实用新型]射频消融碳化硅电极及射频消融装置有效
| 申请号： | 202223578337.X | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN219557533U | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 李碧波;蔡雄飞;汪之涵 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | A61B18/14 | 分类号： | A61B18/14 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 曾昭毅 |
| 地址： | 518118 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种射频消融碳化硅电极及射频消融装置，包括电极主体和碳化硅半导体器件，所述电极主体的端部设有内镜，碳化硅半导体器件与所述内镜位于所述电极主体的同一端部并设置于所述内镜上，碳化硅半导体器件用于射频消融。在本申请中，碳化硅半导体器件作为消融电极，替代现有的金属射频电极或其它复合材料制备的电极，能够提高射频消融电极的精准性和设计性，降低手术并发症发生的概率。同时，本申请将碳化硅半导体器件与内镜镜头进行集成化/或单独安装在内镜镜头上，利用碳化硅半导体器件的高光学透明性及良好的生物相容性材料，在可视化下直接进行射频消融，实时控制消融面积并快速反馈消融情况，有效降低手术并发症，减少手术时间。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 消融 碳化硅 电极 装置 | ||
【主权项】：
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